| 摘要 |
<p>L'invention concerne un circuit intégré et un procédé de fabrication de ce dernier, le circuit comprenant un substrat semi-conducteur (200) doté d'un dispositif semi-conducteur. Une couche diélectrique (208) est disposée sur le substrat semi-conducteur (200) et comporte une ouverture. Une couche barrière amorphisée (226) garnit l'ouverture et une couche d'ensemencement (228) est déposée pour garnir la couche barrière amorphisée (226). Un noyau conducteur (230) comble l'ouverture au-dessus de la couche barrière (226) pour former un canal conducteur. La couche d'ensemencement (228) est étroitement liée à la couche barrière amorphisée (226) et empêche l'électromigration le long de la surface entre les couches d'ensemencement et barrière (228, 226).</p> |
