| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Kondensators insbesondere in hochintegrierten nichtflüchtigen Halbleiterspeichern und eine integrierte ferroelektrische Halbleiterspeicheranordnung. Um eine Schädigung des Ferro- bzw. Paralektrikums (6) zu vermeiden, wird eine TaSixNy-Barriereschicht (7) über dem Kondensatormodul (1) abgeschieden. Das TaSixNy-Material besitzt Barriereeigenschaften gegenüber Wasserstoffdiffusion und Ti-Diffusion.</p> |
