发明名称 Dram memory cell
摘要 A DRAM memory cell includes a storage capacitor device with two storage capacitors connected in parallel with one another. One of the storage capacitors is a trench capacitor whereas the other one of the storage capacitors is a stacked capacitor.
申请公布号 US2002060925(A1) 申请公布日期 2002.05.23
申请号 US20010999326 申请日期 2001.10.31
申请人 HOFMEISTER KLAUS 发明人 HOFMEISTER KLAUS
分类号 G11C11/404;(IPC1-7):G11C11/24 主分类号 G11C11/404
代理机构 代理人
主权项
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