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发明名称 MOS LOW-VOLTAGE VERTICAL TRANSISTOR
摘要 <p>Die Erfindung betrifft einen MOS-Niedervolt-Vertikaltransistor (VMT), bei dem die rückseitige Drainelektrode (12) über einen Stöpsel (11) in einer Isolierschicht (9) mit einer sich vertikal erstreckenden Drainzone (7) verbunden ist.</p>
申请公布号 WO2002041403(A2) 申请公布日期 2002.05.23
申请号 DE2001004005 申请日期 2001.10.19
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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