溅射靶及其制造方法

摘要

本发明涉及一种生产透明导电薄膜的IZO溅射靶,它含100－2000ppm的Sn,其主要由In和Zn的氧化物组成,本发明还涉及一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶的方法,该靶含100－2000ppm的Sn,它主要由在1100－1500℃下烧结In₂O₃和ZnO的混合粉末的所得的In和Zn的氧化物组成,以致其ZnO的含量为0.5－25重量%。生产透明导电薄膜的IZO溅射靶和透明导电薄膜可恒定地获得,并有很好的再现性,其中主要由In和Zn的氧化物组成的IZO透明导电薄膜得到了改进,未影响其特性,加入微量的Sn降低了其体电阻,在溅射时可稳定放电。

主权项

1.一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，它主要含有In和Zn氧化物，其特征在于，它含有100-2000ppm Sn。