| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体集成电路器件的制造方法,其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤,在曝光处理时,适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明,可以提高半导体集成电路器件的生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN1350321A | 申请公布日期 | 2002.05.22 |
| 申请号 | CN01143332.9 | 申请日期 | 2001.09.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 宫崎浩;森和孝;长谷川升雄;寺泽恒男;田中稔彦 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/30;H01L21/82;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括：依据半导体集成电路器件的产量或制造步骤，采用第一光掩模和第二光掩模的步骤，所述第一光掩模具有包含有机感光树脂的有机材料作为防曝光的阻挡材料，所述第二光掩模具有金属膜作为防曝光的阻挡材料。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||