| 发明名称 | 设置在半导体电路中的保护电路 | ||
| 摘要 | 半导体装置具备供给电源电位的电源端子和供给基准电位的基准端子、第1、第2p沟和第1、第2n沟MOS晶体管。第1p沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接电源端子。第2p沟MOS晶体管的源极连接第1p沟MOS晶体管的漏极,背面栅极连接电源端子,栅极和漏极连接基准端子。第1n沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接基准端子。第2n沟MOS晶体管的源极连接第1n沟MOS晶体管的漏极,背面栅极连接基准端子,栅极和漏极连接电源端子。 | ||
| 申请公布号 | CN1350331A | 申请公布日期 | 2002.05.22 |
| 申请号 | CN01137184.6 | 申请日期 | 2001.10.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泷场明;衣笠昌典;伊藤佳充;水田胜 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种保护电路，具备：供给电源电位的电源端子；供给基准电位的基准端子；具有栅极、源极、漏极和背面栅极的第1p沟MOS晶体管，上述栅极、源极和背面栅极被连接到上述电源端子上；具有栅极、源极、漏极和背面栅极的第2p沟MOS晶体管，上述源极被连接到上述第1p沟MOS晶体管的漏极上，上述背面栅极被连接到上述电源端子上，上述栅极、漏极被连接到上述基准端子上；具有栅极、源极、漏极和背面栅极的第1n沟MOS晶体管，上述栅极、源极、背面栅极被连接到上述基准端子上；和具有栅极、源极、漏极和背面栅极的第2n沟MOS晶体管，上述源极被连接到上述第1n沟MOS晶体管的漏极上，上述背面栅极被连接到上述基准端子上，上述栅极、漏极被连接到上述电源端子上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||