| 主权项 |
1.一种有机电子发光构件,特别是有机发光二极体,其特征为其具有:-一个在基板(21)上的透明底部电极(22),-一个由对于氧气与湿气惰性之金属所构成的顶部电极(26),-至少一个介于底部电极(22)与顶部电极(26)之间而配置之有机功能层(23,24),以及-一个包括(Me1)(Me2)Fm+n成份之金属错合物盐的带电粒子注入层(25),其中适用以下:m与n是各自相对应于金属Me1与Me2之原子价之整数,Me1=Li,Na,K,Mg或Ca,Me2=Mg,Al,Ca,Zn,Ag,Sb,Ba,Sm或Yb,其中Me1≠Me2。2.如申请专利范围第1项之有机电子发光构件,其中此顶部电极(26)是由铝、银、铂或金所构成,或是由两个此种金属的合金所构成。3.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中此带电粒子注入层(25)是配置介于顶部电极(26)与有机功能层(24)之间。4.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中此带电粒子注入层(25),具有介于0.1与20奈米(nm)之间的厚度。5.如申请专利范围第3项之有机电子发光构件,其中此带电粒子注入层(25),具有介于0.1与20奈米(nm)之间的厚度。6.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中金属Me1是锂(Li),及/或金属Me2是镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、银(Ag)或钡(Ba)。7.如申请专利范围第4项之有机电子发光构件,其中金属Me1是锂(Li),及/或金属Me2是镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、银(Ag)或钡(Ba)。8.如申请专利范围第6项之有机电子发光构件,其中此金属错合物盐是LiAlF4.LiAgF3.或LiBaF3。9.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中介于底部电极(22)与顶部电极(26)之间配置两个有机功能层(23,24),其中在此底部电极(22)之上是导电洞层(23),并且在此层之上是发射层(24)。10.如申请专利范围第6项之有机电子发光构件,其中介于底部电极(22)与顶部电极(26)之间配置两个有机功能层(23,24),其中在此底部电极(22)之上是导电洞层(23),并且在此层之上是发射层(24)。11.如申请专利范围第8项之有机电子发光构件,其中介于底部电极(22)与顶部电极(26)之间配置两个有机功能层(23,24),其中在此底部电极(22)之上是导电洞层(23),并且在此层之上是发射层(24)。12.如申请专利范围第9项之有机电子发光构件,其中此导电洞层(23)包括N,N-双-(3-甲基苯基)-N,N-双-(双伸苯基)-联苯胺,4,4',4"-参-(N1-基-N-双伸苯基-胺基)-三苯胺或N,N'-双-双伸苯基-N,N'-双--基-联苯胺,及/或发射层(24)包含羟基-铝-III盐(AIq3)。13.如申请专利范围第10项之有机电子发光构件,其中此导电洞层(23)包括N,N-双-(3-甲基苯基)-N,N-双-(双伸苯基)-联苯胺,4,4',4"-参-(N-1-基-N-双伸苯基-胺基)-三苯胺或N,N'-双-双伸苯基-N,N'-双--基-联苯胺,及/或发射层(24)包含烃基-铝-III盐(A1q3)。14.如申请专利范围第1l项之有机电子发光构件,其中此导电洞层(23)包括N,N-双-(3-甲基苯基)-N,N-双-(双伸苯基)-联苯胺,4,4',4"-参-(N-1-基-N-双伸苯基-胺基)-三苯胺或N,N'-双-双伸苯基N,N'-双--基-联苯胺,及/或发射层(24)包含羟基-铝-III盐(Alq3)。15.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中此底部电极(22)是由铟锡氧化物所构成。16.如申请专利范围第8项之有机电子发光构件,其中此底部电极(22)是由铟锡氧化物所构成。17.如申请专利范围第9项之有机电子发光构件,其中此底部电极(22)是由铟锡氧化物所构成。18.如申请专利范围第12项之有机电子发光构件,其中此底部电极(22)是由铟锡氧化物所构成。19.如申请专利范围第1或2项之有机电子发光构件,其中在至少一个有机功能层(23,24)上配置一电子传输层。20.如申请专利范围第6项之有机电子发光构件,其中在至少一个有机功能层(23,24)上配置一电子传输层。21.如申请专利范围第9项之有机电子发光构件,其中在至少一个有机功能层(23,24)上配置一电子传输层。图式简单说明:第1图是传统式的有机发光二极体(OLED)显示器,第2图是根据本发明之有机发光二极体的显示器,第3图是发光体密度/电压特性曲线,第4图是效率/发光体密度特性曲线,第5图是不同材料发光体密度的对比。 |
