| 主权项 |
1.一种共面波导金属线构造,包括:一半导体基底,具有一金氧半电晶体;一顶部金属层(top metal),设置于上述半导体基底上方,以当作电磁波遮蔽层;一介电层,设置于上述顶部金属层的表面,用以使电磁波远离上述半导体基底;及一共面波导金属线,设置于上述介电层表面。2.如申请专利范围第1项所述之共面波导金属线构造,其中该顶部金属层与该半导体基底之间更包括互相绝缘的复数层金属线。3.如申请专利范围第1项所述之共面波导金属线构造,其中该介电层系由聚醯亚胺材料与氮化矽及二氧化矽材料堆叠构成。4.如申请专利范围第3项所述之共面波导金属线构造,其中该聚醯亚胺材料的厚度系20-30m。5.一种共平面波导金属线构造,包括:一半导体基底,具有一金氧半电晶体;一第一介电层,设置于上述半导体基底上方;一金膜,设置于上述第一介电层表面,以当作电磁波遮蔽层;一第二介电层,设置于上述金膜表面,用以使电磁波远离上述半导体基底;及一共面波导金属线,设置于上述介电层表面。6.如申请专利范围第5项所述之共面波导金属线构造,其中该第一介电层与该半导体基底之间更包括互相绝缘的复数层金属线。7.如申请专利范围第5项所述之共面波导金属线构造,其中该第一介电层系由氮化矽及二氧化矽材料堆叠构成。8.如申请专利范围第7项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层系由聚醯亚胺材料所构成。9.如申请专利范围第8项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层的厚度系20-30m。10.一种共面波导金属线构造,包括:一半导体基底,具有一金氧半电晶体;一介电层,具有高介电常数并设置于上述半导体基底上方,用以降低边缘电磁波穿透至上述半导体基底;及一共面波导金属线,设置于上述介电层表面。11.如申请专利范围第10项所述之共面波导金属线构造,其中该介电层与该半导体基底之间更包括互相绝缘的复数层金属线。12.如申请专利范围第10项所述之共面波导金属线构造,其中该介电层的介电常数范围系20-50之间。13.如申请专利范围第12项所述之共面波导金属线构造,其中该介电层系氧化钽。14.一种共面波导金属线构造,包括:一半导体基底,具有一金氧半电晶体;一顶部金属层(top metal),设置于上述半导体基底上方,以当作电磁波遮蔽层;一第一介电层,设置于上述顶部金属层的表面,用以使电磁波远离上述半导体基底;一第二介电层,具有高介电常数并设置于上述第一介电层的表面,用以降低边缘电磁波穿透至上述半导体基底;及一共面波导金属线,设置于上述第二介电层表面。15.如申请专利范围第14项所述之共面波导金属线构造,其中该顶部金属层与该半导体基底之间更包括互相绝缘的复数层金属线。16.如申请专利范围第14项所述之共面波导金属线构造,其中该第一介电层系由聚醯亚胺材料与氮化矽及二氧化矽材料堆叠构成。17.如申请专利范围第16项所述之共面波导金属线构造,其中该聚醯亚胺材料的厚度系20-30m。18.如申请专利范围第14项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层的介电常数范围系20-50之间。19.如申请专利范围第18项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层系氧化钽。20.一种共平面波导金属线构造,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底,包括:一第一介电层,设置于上述半导体基底上方;一金膜,设置于上述第一介电层表面,以当作电磁波遮蔽层;一第二介电层,设置于上述金膜表面,用以使电磁波远离上述半导体基底;一第三介电层,具有高介电常数并设置于上述第二介电层表面,用以降低边缘电磁波穿透至上述半导体基底;及一共面波导金属线,设置于上述介电层表面。21.如申请专利范围第19项所述之共面波导金属线构造,其中该第一介电层与该半导体基底之间更包括互相绝缘的复数层金属线。22.如申请专利范围第19项所述之共面波导金属线构造,其中该第一介电层系由氮化矽及二氧化矽材料堆叠构成。23.如申请专利范围第19项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层系由聚醯亚胺材料所构成。24.如申请专利范围第20项所述之共面波导金属线构造,其中该第二介电层的厚度系20-30m。25.如申请专利范围第19项所述之共面波导金属线构造,其中该第三介电层的介电常数范围系20-50之间。26.如申请专利范围第22项所述之共面波导金属线构造,其中该第三介电层系氧化钽。图式简单说明:第1图系根据习知技术,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。第2图系根据本发明第一实施例,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。第3图系根据本发明第二实施例,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。第4图系根据本发明第三实施例,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。第5图系根据本发明第四实施例,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。第6图系根据本发明第五实施例,适用于形成有金氧半电晶体之半导体基底之共面波导金属线构造剖面图。 |
