| 主权项 |
1.一种防止介电层产生缺陷的方法,该介电层系设于一半导体基底表面方法,该方法包含有下列步骤:对该半导体基底表面之该介电层进行一微波处理(microwave process);以及对该半导体基底表面之该介电层进行一回流处理(reflow process),以平坦化该介电层表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电层系为硼磷矽玻璃(borophosphosilicate glass, BPSG)或含有硼、磷的四乙氧基矽烷(borophospho- tetra-ethyl-ortho-silicate, BPTEOS)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该介电层系利用一低压化学气相沈积法(low pressure chemical vapordeposition, LPCVD)、常压化学气相沈积法(atmosphericpressure chemical vapor deposition APCVD)或电浆化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)而形成于该半导体基底上。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该微波处理步骤系用来去除该介电层中大部份的极性分子。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该极性分子系为水分子,且该微波处理之频率为2450 MHz。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该微波处理之功率为100-2000W,以去除该介电层中不同深度之水分子,进而防止在进行该回流处理时,该介电层中的硼、磷吸收该等水分子所造成的固态缺陷或液态缺陷。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该回流处理的温度为800-1000℃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该回流处理系进行于一含有氮气、氧气、或氮气与氧气之混合气体的气氛中。9.一种形成一介电层的方法,该方法包含有下列步骤:提供一半导体基底;利用一化学气相沈积法(chemicalvapor deposition, CVD)于该半导体基底表面沈积该介电层;对该半导体基底表面之该介电层进行一微波处理(microwave process);以及对该半导体基底表面之该介电层进行一回流处理(reflow process),以平坦化该介电层表面。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该介电层系为硼磷矽玻璃(BPSG)或含有硼、磷原子的四乙氧基矽烷(BPTEOS)。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该化学气相沈积法系为一低压化学气相沈积法(LPCVD)、常压化学气相沈积法(APCVD)或电浆化学气相沉积(PECVD)。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该回流处理的温度为800-1000℃。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该回流处理系进行于一含有氮气、氧气、或氮气与氧气之混合气体的气氛。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该微波处理之频率为2450MHz。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该微波处理步骤系用来去除该介电层中大部份的极性分子。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该极性分子系为水分子。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该微波处理之功率为100-2000W,以去除该介电层中不同深度之水分子,进而防止在进行该回流处理时,该介电层中的硼、磷吸收该等水分子所造成的固态缺陷或液态缺陷。图式简单说明:图一到图三为BPSG/BPTEOS介电层上缺陷形成模式之简单示意图。图四到图七为本发明制作一可抑制缺陷形成之介电层之制程示意图。图八到图十为本发明抑制缺陷形成之简单示意图。 |
