| 主权项 |
1.一种在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,其包含有:至少一晶片以覆晶型态连接至一电路基板之上表面,使该晶片与电路基板之间形成有一空隙,其中该电路基板具有一上表面、一下表面及复数个导通孔,而部份之导通孔系形成贯穿上表面与下表面之通气孔;及在电路基板之上表面提供一底垫材,使该底垫材流至该在晶片与电路基板之间之空隙并阻塞上述之导通孔。2.如申请专利范围第1项所述之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,其另包含有:密闭该在晶片与电路基板之间之空隙。3.如申请专利范围第2项所述之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,其另包含有;对该在晶片与电路基板之间之空隙抽真空。4.如申请专利范围第1项所述之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,其另包含有:在电路基板之下表面抽气,使由该在晶片与电路基板之间之空隙至上述贯穿之导通孔形成流动气道。5.一种覆晶封装结构之底垫材填充过程:提供一电路基板,该电路基板具有一上表面、一下表面及复数个导通孔,而部份之导通孔系形成贯穿上表面与下表面之通气孔;提供一晶片,其中该晶片之一表面形成有复数个凸块;以覆晶型态将该晶片结合至该电路基板之上表面,使该复数个凸块电性连接晶片与电路基板,并在该晶片与电路基板之间形成有一空隙;及在电路基板之上表面提供一底垫材,使该底垫材流至该晶片与电路基板之间之空隙并阻塞上述之导通孔。6.如申请专利范围第5项所述之覆晶封装结构之底垫材填充过程,其中在结合晶片与电路基板之后,密闭该在晶片与电路基板之间之空隙。7.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构之底垫材填充过程,其中在密闭该在晶片与电路基板之间之空隙之后,对该在晶片与电路基板之间之空隙抽真空。8.如申请专利范围第5项所述之覆晶封装结构之底垫材填充过程,其中在结合晶片与电路基板之后,在电路基板之下表面抽气,使由该在晶片与电路基板之间之空隙至上述贯穿之导通孔形成流动气道。9.一种覆晶封装结构,包含:一电路基板,具有一上表面、一下表面及复数个导通孔,而部份之导通孔系形成贯穿上表面与下表面之通气孔;一晶片,以覆晶型态电性连接至该电路基板之上表面,并在该晶片与电路基板之间形成有一空隙;及一底垫材,填充于该空隙并阻塞上述通气之导通孔。10.如申请专利范围第9项所述之覆晶封装结构,其中该底垫材系填充于上述通气之导通孔。11.如申请专利范围第9项所述之覆晶封装结构,其中该底垫材系密封该晶片。12.如申请专利范围第9项所述之覆晶封装结构,其另包含复数个焊球,连接于该电路基板之下表面。图式简单说明:第1图:美国专利第6,066,509号「凸块化晶片之底垫填充方法」之截面示意图;第2图:美国专利第6,081,997号「使用封胶射出法之积体电路封装方法」之截面示意图;第3a图:依本发明之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,以上模具及下模具夹合该覆晶与电路基板之结合构造后并抽真空之截面示意图;第3b图:依本发明之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,接续第3a图之步骤,在灌注底垫及烘烤固化后移除上模具之截面示意图;第3c图:依本发明之在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,接续第3b图之步骤,在移除下模具及种植焊球后切割得到其中之一覆晶封装结构之截面示意图;第4a图:依本发明另一在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,以上模具及下模具夹合该覆晶与电路基板之结合构造后并抽真空之截面示意图;第4b图:依本发明另一在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,接续第4a图之步骤,在灌注底垫及烘烤固化后移除上模具之截面示意图;及第4c图:依本发明另一在覆晶与电路基板之结合空隙填充方法,接续第4b图之步骤,在移除下模具及种植焊球后切割得到其中之一覆晶封装结构之截面示意图。 |
