| 主权项 |
1.一种热处理基板(1)之装置,尤其是半导体基板,在一反应室内,基板被置于支持元件(8)上,其特征为,支持元件(8)可大致平行于基板平面运动。2.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)可于径向相对基板(1)之中心轴运动。3.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)系弹性悬挂。4.根据申请专利范围第3项所述之装置,其特征为,支持元件(8)与一弹簧(15),尤其是一平面蜗形弹簧相连。5.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)可垂直于其长向轴(A)转动。6.根据申请专利范围第5项所述之装置,其特征为,转动轴(B)与支持元件(8)之长向轴(A)间有段距离。7.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)是设置在可运动支架(25)之自由末端上。8.根据申请专利范围第7项所述之装置,其特征为,支架(25)可平行于基板平面运动。9.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)被置入一导件(42)内。10.根据申请专利范围第9项所述之装置,其特征为,导件(42)是一长孔。11.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)具一支承凸缘(30)。12.根据申请专利范围第11项所述之装置,其特征为,支承凸缘(30)具一弯曲支承面(31)。13.根据申请专利范围第11项所述之装置,其特征为,支承凸缘(30)可透光,且被设计为光学透镜。14.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,具一可运动,尤其是可转动支承之固持元件(60),其具有至少三支架(62)及固定在其上之支持元件(8)。15.根据申请专利范围第14项所述之装置,其特征为,支持元件(8),是以可运动,尤其是可转动之方式置于支架(62)上。16.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件是滚珠。17.根据申请专利范围第16项所述之装置,其特征为,滚珠在一轨道内被导引。18.根据申请专利范围第17项所述之装置,其特征为,轨道是向基板之中心轴方向倾斜。19.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)是一锥形缩小之足部(13),其以可转动之方式被置于一支座(28)内。20.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)具基板支承顶尖(11)。21.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,基板支承顶尖(11)是由一第一锥体构成,其较与之相连之第二锥体有较大之开口角度。22.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,第一锥体之开口角度在50度及130度之间,且最好在80度及100度之间。23.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,第二锥体之开口角度在5度及45度之间,且最好在5度及25度之间。24.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)及/或其固持装置(20;25;28;40;50;52;60)是设置在圆弧上,其半径为基板半径之1/2至4/5,最好是2/3。25.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)及/或其固持装置(20;25;28;40;50;52;60),至少部分是由透光之材料构成。26.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)及/或其固持装置(20;25;28;40;50;52;60)之表面至少部分被抛光,尤其是被火焰抛光。27.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,支持元件(8)及/或其固持装置(20;25;28;40;50;52;60)是由一下列材料或一下列材料之组合制成:石英,氧化镁,氧化锆,矽,氮化矽,碳化矽,氧化铝,氮化铝,氧化硼,蓝宝石,沙法(Saphal)或陶瓷。图式简单说明:图一 根据技术现况基板载具之示意透视图;图二a及图二b 半导体晶圆背面之缺陷,其在半导体晶圆受热处理时,由根据技术现况之支承销所造成;图三a及图三b 半导体晶圆背面之缺陷,其在半导体晶圆受热处理时,根据本发明之摆动支承之支承销所造成;图四 弹性支承之支承销之示意透视图;图五 根据本发明摆动支承之支承销之示意侧视图;图六 根据图五之支承销,视角转动90度后之示意侧视图;图七 根据本发明之另一支架之结构上视图,支承销被置于转动之支架上;图八 根据本发明具锥形足部末端之支承销之细部图;图九 根据本发明另一支承销之示意侧视图;图十 根据本发明另一支承销之实施例之示意侧视图;图十一 根据图九或图十之用作固持及导引一支承销之导板;图十二 根据本发明另一支承销之实施形式之示意剖面图;图十三 根据本发明另一支承销之实施形式;图十四a及图十四b 固定装置之示意剖面图及示意上视图,用以固持根据本发明之支承销;图十五 根据图十四固持装置之透视图;图十六A)及图十六B) 固持装置之支持销之另外实施形式。 |
