| 主权项 |
1.一种处理基板(3)之装置(1),其具至少一设置在气体环境内,盛有处理流体(20)之程序容器(8),程序容器具至少二位于处理流体液面之下,经常开启之开口(15.16),以线性输送基板(3),其特征为,在开口下有一入口,且在开口(15.16)上有一溢流。2.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,溢流之高度系可调整。3.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,有一封闭之溢流容器(42)。4.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,程序容器(8)及溢流容器(42)是封闭的。5.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,有一装置(37),其在程序容器(8)内,处理流体(20)上形成之空间(40)产生真空。6.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,处理流体(20)可经由主要是水平设置之扩散板(22)导入程序容器(8)内。7.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,在程序容器(8)之外围,于至少一开口(15.16)下安装一收集槽(30)。8.根据申请专利范围第7项所述之装置,其特征为,在收集槽内具有一滴粒捕手。9.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,在程序容器(8)内至少具有一超音波装置(24.26)。10.根据申请专利范围第9项所述之装置,其特征为,在程序容器(8)内之超音波装置(24.26)延伸至整个宽度,并与基板(3)之运动方向垂直。11.根据申请专利范围第9项所述之装置,其特征为,超音波装置(24.26)具有流体动力形状。12.根据申请专利范围第9项所述之装置,其特征为,基板(3)可运动穿过至少二相向之超音波装置(24.26)之间。13.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,有一包围程序容器(8)出口开口(16)之乾燥室(32),其具有一装置(34.35),用以导入降低处理流体(20)表面张力之流体。14.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,具有多个接续设置之程序容器(8)。15.根据申请专利范围第14项所述之装置,其特征为,程序容器(8)包含不同之处理流体(20)。16.根据申请专利范围第14项所述之装置,其特征为,在程序容器(8)之间具有一润湿装置(4)。图式简单说明:图一 系根据本发明之处理装置之示意剖面图;图二 系处理装置之收集槽与滴粒捕手之放大细节图。 |
