| 主权项 |
1.一种半导体装置,由:封装体;在主面形成有半导体元件及多数电极,封装在上述封装体内之半导体晶片;以及,以电气方式连接在上述半导体晶片之电极,由位于上述封装体内部之内部引线部,从上述内部引线部连续延伸而突出在上述封装体外部之外部引线部,及从上述外部引线部连续延伸,而终端于供安装在安装基板之部分之安装部构成之多数引线;所构成,其中,上述外部引线部之从上述封装体突出之部分之引线宽度,形成为引线厚度以上,上述外部引线部之上述安装部之引线宽度,形成为引线厚度以下。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,上述外部引线部系由向远离上述封装体之方向延伸之突出部;从上述突出部向下方弯折之中间部;以及,向远离上述封装体之方向,且从上述中间部与上述突出部同一方向延伸之上述安装部所构成。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,上述外部引线部在上述中间部有连结杆切离部,上述突出部与上述连结杆切离部间之引线宽度为,上述连结杆切离部与上述安装部间之引线宽度以上。4.一种半导体装置,由:封装体;在主面形成有半导体元件及多数电极,封装在上述封装体内之半导体晶片;以及,以电气方式连接在上述半导体晶片之电极,由位于上述封装体内部之内部引线部,从上述内部引线部连续延伸而突出在上述封装体外部之外部引线部,及从上述外部引线部连续延伸,而终端于供安装在安装基板之部分之安装部构成之多数引线;所构成,其中,上述外部引线部之从上述封装体突出之部分之引线宽度,形成为上述外部引线部之上述安装部之引线宽度以上,上述外部引线部之上述安装部之引线宽度,形成为引线厚度以下。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,上述外部引线部系由向远离上述封装体之方向延伸之突出部;从上述突出部向下方弯折之中间部;以及,向远离上述封装体之方向,且从上述中间部向与上述突出部同一方向延伸之上述安装部所构成。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,上述外部引线部,在上述中间部有连结杆切离部,以上述连结杆切离部为界,两边之引线宽度不相同。7.一种半导体装置,由:封装体;在主面形成有半导体元件及多数电极,封装在上述封装体内之半导体晶片;以及,以电气方式连接在上述半导体晶片之电极,具有,位于上述封装体内部之内部引线部,从上述内部引线部连续延伸,而突出在上述封装体外部之外部引线部,从上述外部引线部连续延伸,而终端于供安装在安装基板之部分之安装部,并在上述外部引线部之突出部与上述安装部间有连结杆切离部之多数引线;所构成,其中,上述外部引线部之突出部与上述连结杆切离部间之引线宽度,系形成为上述外部引线部之安装部与上述连结杆切离部之引线宽度以上,上述外部引线部之上述安装部之引线宽度形成为引线厚度以下。8.如申请专利范围第7项之半导体装置,上述外部引线部,系由向远离上述封装体之方向延伸之上述突出部;从上述突出部向下方弯折之中间部;以及,向远离上述封装体之方向,且从上述中间部向与上述突出部之同一方向延伸之上述安装部所构成。图式简单说明:第一图系本发明一实施型态之半导体装置之省略封装体上部之状态之平面图。第二图系沿第一图之A-A线之模式截面图。第三图系上述半导体装置之主要部分模式斜视图。第四图系上述半导体装置之装配处理过程所使用之引线框架之模式平面图。第五图系第四图之主要部分放大模式平面图。第六图系说明上述半导体装置之引线成形制程用之模式斜视图。第七图系说明上述半导体装置之引线成形制程用之模式斜视图。第八图系将上述半导体装置安装在安装基板之状态之主要部分模式斜视图。第九图系表示本发明一实施形态之变形例之半导体装置之主要部分模式斜视图。 |
