| 主权项 |
1.一种具有可植入传导区之半导体封装体,该半导体封装体系包含:一包括带有复数个接合垫但未包括一引线框或一基材于其中之半导体封装体主体,该半导体封装体主体系由一密封树脂所形成;以及被连结至欲被暴露至外部中之该半导体封装体之该表面上的可植入传导区,各该等可植入传导区系被电气地连接至该半导体晶片之一接合垫上。2.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中该等可植入传导区被从一作为一基材直至模制程序被完成为止之带膜上卸下。3.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中各该等可植入传导区之厚度在数个m与数个nm之间,且其形状为四边形或圆形之其中一者。4.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中在该等可植入传导区之间,该等作为接地端子或散热片之可植入传导区系被相互地电气连接。5.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中在该等可植入传导区之间,该等作为电气端子之可植入传导区被相互地电气连接。6.如申请专利范围第1项之半导体封装体,系进一步包含被连结至该等可植入传导区上之外部连接端子。7.如申请专利范围第6项之半导体封装体,其中该等外部连接端子为焊料涂层或焊料球。8.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中该半导体封装体主体为球格栅阵列(BGA)型与四边平坦无引线(QFN)型之其中一者。9.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中该等可植入传导区透过导线被连接至该半导体晶片之该等连接垫上。10.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中一用以导线接合之表面处理层被形成在各个被连结至该半导体封装体主体上之可植入传导区之一侧上。11.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中该半导体晶片之底部使用一热传导接合晶粒环氧树脂或一导电接合晶粒环氧树脂而被连结至可植入传导区上。12.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中该半导体封装体主体为一倒装型。13.如申请专利范围第12项之半导体封装体,其中一焊料凸缘在该半导体晶片之各接合垫上被形成。14.如申请专利范围第12项之半导体封装体,其中一被连接至一焊料凸缘上之可植入传导区透过一导线而被连接至一被连接至外部连接端子上之可植入传导区上,藉此形成一经延伸的可植入传导区。15.一种制造具有可植入传导区之半导体封装体之方法,该方法系包含下列步骤:将一半导体晶片连结至一暂时基材上,其中该等可植入传导区在一带膜上被形成;模制至其上连结有该半导体晶片之该暂时基材上;以及从该经模制之合成结构上卸下该带膜。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在将该半导体晶片连结至该暂时基材上之步骤中,该半导体晶片之底部使用一热传导接合晶粒环氧树脂或一导电接合晶粒环氧树脂而被接合至该暂时基材上。17.如申请专利范围第16项之方法,其在将该半导体晶片连结至该暂时基材上之步骤之后,系进一步包含使用导线将该半导体晶片之该等接合垫接合至该等可植入传导区之步骤;18.如申请专利范围第15项之方法,其中在模制该暂时基材之步骤中,包括藉由撒布机而将经液化模制材料散布至该暂时基材上或使用模制设备来模制热固性树脂之步骤的其中一者。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该暂时基材之带膜包含一实质作为基材之带主体以及一容易从该等可植入传导区被卸下之黏着层。20.如申请专利范围第17项之方法,其中一供接合导线用之表面处理层在各可植入传导区之表面上被形成。21.如申请专利范围第16项之方法,其中该等可植入传导区包括供外部连接端子用之可植入传导区及供散热片用之可植入传导区。22.如申请专利范围第15项之方法,其中在将该半导体基材连结至该暂时基材上之步骤中时,焊料凸缘在该半导体基材之该等接合垫上被形成,并且该半导体晶片被连结至该暂时基材上,使得焊料凸缘被连接至该可植入传导区上。23.如申请专利范围第22项之方法,其中一被连接至一焊料凸缘上之可植入传导区透过一导线被连接至一被连接至一外部连接端子上之可植入传导区上。24.如申请专利范围第15项之方法,其中将该带膜从该暂时基材卸下之步骤在模制或单一化程序之其中一者后被执行。25.一种制造具有可植入传导区之半导体封装体之方法,该方法系包含:一将半导体晶片之底部连结至其上可植入传导区被形成在一带膜上之暂时基材上的第一步骤;一将该半导体晶片之该等接合垫连接至该等可植入传导区上之第二步骤;一在接合导线后模制所得之结构以形成一半导体主体之第三步骤;一将作为该暂时基材之带膜从已被进行模制步骤之半导体封装体主体上卸下,在半导体封装体主体中留下该等可植入传导区之第四步骤;一在该等被固定在该半导体封装体主体中之可植入传导区上形成外部连接端子之第五步骤;以及一从一条具有该等外部连接端子之半导体封装体上取下个别的半导体封装体之第六步骤。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该等可植入传导区包括供外部连接端子用之可植入传导区以及供散热片用之可植入传导区。27.如申请专利范围第25项之方法,其中形成该等连接端子之步骤在该等供外部连接端子用之可植入传导区上形成焊料球或焊料涂层。28.一种制造具有可植入传导区之半导体封装体之方法,该方法系包含:一将半导体晶片之底部连结至其中可植入传导区被形成在一带膜上之暂时基材上的第一步骤;一使用导线将该半导体晶片之该等接合垫连接至该等可植入传导区上之第二步骤;一在导线接合之后模制所得之结构之第三步骤;一从一条已进行模制步骤之半导体封装体主体上取下个别的半导体封装体主体之第四步骤;以及一将作为该暂时基材之带膜从该个别的半导体封装体主体上卸下,在半导体封装体主体中留下该等可植入传导区之第五步骤。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该等可植入传导区包括供外部连接端子用之可植入传导区及供散热片用之可植入传导区。30.一种制造具有可植入传导区之半导体封装体之方法,该方法系包含:一将一半导体晶片连结至其中可植入传导区在一带膜上被形成之暂时基材上,使得半导体晶片之接合垫被直接地连接至该等可植入传导区上之第一步骤;模制至其上连接有该半导体晶片之该暂时基材上,以形成一半导体封装体主体之第二步骤;一在模制步骤后将作为该暂时基材之带膜从该半导体封装体主体上卸下,而在该半导体封装体主体中留下该等可植入传导区之第三步骤;一在被固定在该半导体封装体主体中之该等可植入传导区上形成外部连接端子之第四步骤;以及一从一条具有该等外部连接端子之该等半导体封装体主体上取下个别的半导体封装体主体之第五步骤。31.如申请专利范围第30项之方法,其中伸出之焊料凸缘在该半导体晶片之该等接合垫上被形成。32.如申请专利范围第30项之方法,其中一被连接至一焊料凸缘上之可植入传导区透过一导线被连接至一被连接至一外部连接端子上之可植入传导区上,藉此形成一经延伸之可植入传导区。图式简单说明:第1至3图为例示使用一刚性基材之传统球格栅阵列(BGA)封装体的结构图;第4至6图为例示使用一在此传导区被形成在一带膜上之基材的传统BGA封装体之结构图;第7至9图为例示传统四边平坦无引线(QFN)封装体的结构图;第10与11图为用以说明具有可植入传导区之半导体封装体之概念结构,以及根据本发明用以制造该半导体封装体之方法的截面图;第12与13图为例示其上形成有被使用在本发明中之可植入传导区之带膜的结构平面图;第14图为说明其上形成有被使用在本发明中之可植入传导区之带膜的结构截面图;第15图为说明在其上被形成有被使用在本发明中之可植入传导区之带膜上之可植入传导区之经转变形状的平面图;第16至22图为例示根据本发明第一实施例之半导体封装体之结构及其制造方法之图;第23至28图为例示根据本发明第二实施例之半导体封装体之结构及其制造方法之图;第29至34图为例示根据本发明第三实施例之半导体封装体之结构及其制造方法之图。 |
