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1.一种可复写相变型光资讯记录组成物,其具有[ TexGey(Bi1-Sb)z]100-aXa的组成,其中X为硼或碳,x=47- 60原子百分率(at.%),y=12-48at.%,z=5-41at.%,=0.1- 0.9,及a=0.05-4at.%,其中x+y+z=100at.%。2.如申请专利范 围第1项所述之组成物,其中y=28-48at.%,z=5-25at.%,=0. 1-0.6,及a=0.5-3at.%。3.如申请专利范围第2项所述之 组成物,其中该组成物在可见光波长范围内,具有 一结晶与非结晶态反射率对比値大于30%。4.如申 请专利范围第2项所述之组成物,其中该组成物具 有一结晶化温度介于180-210℃范围。5.如申请专利 范围第2项所述之组成物,其中该组成物在300℃以 下仅具有一面心立方晶相。6.如申请专利范围第2 项所述之组成物,其中该组成物具有一结晶活化能 介于1.5-3.0eV范围。7.如申请专利范围第1项所述之 组成物,其中y=12-28at.%,z=12-41at.%,=0.6-0.9,及a= 0.5-3at.%。8.如申请专利范围第7项所述之组成物,其 中该组成物在可见光波长范围内,具有一结晶与非 结晶态反射率对比値大于20%。9.如申请专利范围 第7项所述之组成物,其具有一结晶化温度在介于 140-180℃范围。10.如申请专利范围第7项所述之组 成物,其中该组成物在250℃以下仅具有一面心立方 晶相。11.如申请专利范围第9项所述之组成物,其 在该结晶化温度具有一结晶活化能介于1.5-3.0eV范 围。12.如申请专利范围第2项所述之组成物,其中 该组成物具有(Te50.6Ge37.4 Bi5.7Sb6.3)B0.89,(Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)B1.54,(Te50.6Ge37.4Bi5. 7Sb6.3)B1.86或(Te50.6Ge37.4Bi5.7Sb6.3)C0.99的组成。13.如 申请专利范围第7项所述之组成物,其中该组成物 具有(Te54.5Ge22.0 Bi6.5Sb17.0)B0.74,(Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)B1.27,(Te54.5Ge22.0Bi 6.5Sb17.0)B1.85或(Te54.5Ge22.0Bi6.5Sb17.0)C1.07的组成。14. 一种可复写相变型光碟,包含:一基底,以及沈积于 该基底上之一可复写相变塑化光资讯记录层,其中 该可复写相变型化光资讯记录层为申请专利范围 第1项至第7项中任一项所述之组成物。图式简单 说明: 图一为可擦拭相变型光碟的结构示意图。 图二为一组成图显示一较大范围的本发明的可复 写相变型光资讯记录组成物Te-(Ge,Bi,Sb)-X(X=0.05-5at.% B或C)。 图三(a)及(b)分别为对照组Te( Ge0.8Sb0.2)组成物的初镀非晶膜,与热退火结晶膜的X 光绕射图谱。 图四显示对照组Te(Ge0.8Sb0.2)薄膜在可见光范围内 的非晶态反射率(RA)与结晶态反射率(RC)。 图五(a)及(b)分别为本发明实施例一Te(Ge0.8Bi0.1Sb0.1) Ba(a=0,0.89,1.54,及1.86at.%)初镀非晶膜的X光绕射图形, 与经250℃、10分钟热退火过的结晶膜的X光绕射图 谱。 图六显示本发明实施例一Te( Ge0.8Bi0.1Sb0.1)Ba(a=0,0.89,1.54,及1.86at.%)薄膜在可见光 范围内的非晶态反射率(RA)与结晶态反射率(RC)。 图七显示对照组与本发明实施例一的薄膜的反射 率对比。 图八显示对照组与本发明实施例一薄膜的DSC热分 析曲线(升温速率 10℃/min)。 图九为对照组与实施例一薄膜的Kissinger图,其中Tp 及分别代表于DSC分析中的结晶化温度及昇温速 率。 图十(a),(b)及(c)分别为本发明实施例二Te(Ge0.5Bi0.125 Sb0.375)0.8Ba(a=0,0.74,1.27,及1.85at.%)初镀非晶薄膜的X 光绕射图谱(a);与经180℃、10分钟热退火过的结晶 膜的X光绕射图谱(b);及经300℃、10分钟热退火过的 结晶膜的X光绕射图谱。 图十一显示本发明实施例二Te(Ge0.5Bi0.125Sb0.375)0.8Ba (a=0,0.74, 1.27,及1.85at.%)薄膜在可见光范围内的非晶态反射 率(RA),与结晶态反射率(RC)。 图十二显示本发明实施例二的薄膜的反射率对比 图。 图十三显示本发明实施例二薄膜的DSC热分析曲线( 升温速率10℃/min)。 图十四(a)及(b)分别为实施例二薄膜从非晶态转变 成fcc及从fcc转变成hcp的Kissinger图,其中Tp及分别 代表于DSC分析中的结晶化温度及昇温速率。 图十五显示以本发明实施例一Te(Ge0.8Bi0.1Sb0.1)Ba(a=0 及0.89at.%)薄膜作为光资讯记录层之相变型光碟的 动态擦写测试结果。 图十六显示以本发明实施例二Te(Ge0.5Bi0.125Sb0.375)0. 8Ba(a=0及0.74at.%)薄膜作为光资讯记录层之相变型光 碟的动态擦写测试结果。 图十七为为一组成图显示一较佳范围的本发明的 可复写相变型光资讯记录组成物Te-(Ge,Bi,Sb)-X(X=0.05 -3at.%B或C)。 |
