| 主权项 |
1.一种矽绝缘体元件之自对准微影制程,包括下列步骤:提供一基底,于该基底上已形成有复数个导体元件,其中该基底为可透光材质,且该些导体元件为不透光材质;在该基底上形成一材料层,其中该材料层为可透光材质;在该绝缘层上形成一光阻层;以该基底为罩幕,其中于该基底上具有导体元件的区域为一不透光区,未具有导体元件的区域为一透光区,由该基底未形成该些导体元件侧,进行一接触式曝光,以使曝光光源穿透该透光区,使该光阻层曝光;以及进行一显影步骤,以图案化该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中该基底的材质包括氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中该些导体元件的材质系选自矽、金属矽化物以及金属所组之族群其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中该材料层的材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中该光阻层系选自正光阻、负光阻所组之族群其中之一。6.如申请专利范围第5项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中形成该光阻层的方法包括旋转涂布法。7.如申请专利范围第1项所述之矽绝缘体元件之自对准微影制程,其中该接触式曝光的曝光能量为20毫焦耳/平方公分至40毫焦耳/平方公分左右。8.一种以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,其中该基底为可透光材质;在该基底形成一主动元件区,该主动元件区为不透光材质;在该主动元件区两侧之该基底上形成一隔离层,该隔离层为可透光材质;在该基底上形成复数个字元线,且该些字元线设置于部份的该主动元件区以及部分的该隔离层上,该些字元线包括一第一导体层、一帽盖层以及一间隙壁;在该基底上形成一绝缘层,该绝缘层为可透光材质;在该绝缘层上形成一光阻层;以该基底为罩幕,其中以该基底上之该主动元件区以及该些字元线覆盖的区域作为一不透光区,以该隔离层未被该些字元线覆盖的区域作为一透光区,由该基底未形成该主动元件区以及该些字元线侧,直接进行一接触式曝光,以使曝光光源穿透该透光区,使该光阻层曝光;进行一显影步骤,以使该光阻层形成一光阻图案,该光阻图案覆盖于该透光区上;以该光阻图案为罩幕,完全去除该光阻图案覆盖区域以外之该绝缘层,以于该主动元件区形成复数个开口;去除该光阻层;在该基底上形成一第二导体层,且该第二导体层填满该些开口;以及去除部份该第二导体层以及该绝缘层至露出该帽盖层表面,以于该些开口中形成复数个导体。9.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该基底的材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该主动元件区的材质包括矽。11.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该隔离层的材质包括氧化矽。12.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该绝缘层的材质包括氧化矽。13.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该光阻层的材质包括负光阻。14.如申请专利范围第13项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中形成该光阻层的方法包括旋转涂布法。15.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中该曝光制程的曝光能量为20毫焦耳/平方公分至40毫焦耳/平方公分左右。16.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中完全去除该光阻图案覆盖区域以外之该绝缘层的方法包括非等向性蚀刻法。17.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中去除部份该第二导体层以及该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。18.如申请专利范围第8项所述之以自对准微影之方式制造矽绝缘体元件之方法,其中去除部份该第二导体层以及该绝缘层的方法包括回蚀法。图式简单说明:第1A图至第1E图所示为依据本发明较佳实施例之矽绝缘体元件之自对准微影制程,应用于制造接触窗的流程剖面示意图。 |
