| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上依序形成一闸极介电层以及一闸极导体层;定义该闸极导体层与该闸极介电层以形成复数个堆叠闸极,用以制作复数个驱动电晶体、复数个存取电晶体与复数个负载电晶体;于该些堆叠闸极两侧之该基底中形成复数个淡掺杂区;于该些堆叠闸极之侧壁上形成一间隙壁;以该间隙壁为植入罩幕,进行离子植入步骤,以于该些堆叠闸极两侧之该基底中形成复数个浓掺杂区,以使该些浓掺杂区与该些淡掺杂区形成复数个源极区/汲极区;以及于两不同静态随机存取记忆胞之相邻该些驱动电晶体之间之该些源极区/汲极区上形成一金属矽化物层,于两不同静态随机存取记忆胞之相邻该些存取电晶体之间之该些源极区/汲极区上不形成金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些存取电晶体为N型金氧半导体。3.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些驱动电晶体为N型金氧半导体。4.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些负载电晶体为p型金氧半导体。5.如申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氧化矽。6.一种静态随机存取记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成复数个静态随机存取记忆胞,该些静态随机存取记忆胞之相邻任二存取电晶体之间为一第一源极/汲极区;于该些第一源极/汲极区上覆盖一绝缘材质;以及进行一自动对准金属矽化制程,以在除该些第一源极/汲极区以外之复数个源极/汲极区上形成一矽化金属层。7.如申请专利范围第6项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些静态随机存取记忆胞各包括二个驱动电晶体、二个存取电晶体与二个负载电晶体。8.如申请专利范围第7项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该二个驱动电晶体为N型金氧半导体。9.如申请专利范围第7项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该二个存取电晶体为N型金氧半导体。10.如申请专利范围第7项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该二个负载电晶体为P型金氧半导体。11.如申请专利范围第6项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中于该些第一源极/汲极区上覆盖该绝缘材质之方法包括:于该基底上形成一绝缘层,该绝缘层覆盖在该些相邻之存取电晶体之间的间隙的厚度大于覆盖于其他之处的厚度;以及移除该些相邻之存取电晶体之间的间隙以外之该绝缘层。12.如申请专利范围第11项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中移除该些相邻之存取电晶体之间的间隙以外之该绝缘层之方法包括非等向性蚀刻法。13.一种静态随机存取记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上依序形成一闸极介电层与一闸极导体层;定义该闸极导体层与该闸极介电层以形成复数个堆叠闸极,用以制作复数个驱动电晶体,复数个存取电晶体与复数个负载电晶体,其中任二相邻之不同静态随机存取记忆胞之相邻该些驱动电晶体之间之距离大于任二相邻之不同静态随机存取记忆胞之相邻该些存取电晶体之间之距离;于该些堆叠闸极之侧壁上形成一间隙壁;于该些堆叠闸极两侧之该基底中形成复数个源极/汲极区,其中任二相邻之不同静态随机存取记忆胞之相邻该些存取电晶体之间为一第一源极/汲极区于该基底上形成一绝缘层,该绝缘层填满该些相邻之不同静态随机存取记忆胞之该些相邻存取电晶体之该些堆叠闸极间之间隙,且该绝缘层未填满该些相邻之不同静态随机存取记忆胞之该些相邻驱动电晶体之该些堆叠闸相间之间隙;移除该些相邻之不同静态随机存取记忆胞之该些相邻存取电晶体之该些堆叠闸极间的间隙以外之该绝缘层,以暴露除该些第一源极/汲极区以外之该些源极/汲极区;以及进行一自动对准金属矽化制程,以在除该些第一源极/汲极区以外之该些源极/汲极区、该些堆叠闸极上形成一矽化金属层。14.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些存取电晶体为N型金氧半导体。15.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些驱动电晶体为N型金氧半导体。16.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该些负载电晶体为P型金氧半导体。17.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中移除任两相邻之静态随机存取记忆胞之相邻该些存取电晶体之间的间隙以外之该绝缘层之方法包括非等向性蚀刻法。18.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该绝缘层之材质与该间隙壁之材质具有不同之蚀刻选择性。19.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氧化矽。20.如申请专利范围第13项所述之静态随机存取记忆体的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第1图为显示一种习知之SRAM单元电路图。第2A图至第2B图系显示根据本发明较佳实施例SRAM单元配置(Layout)之上视图。第3A图至第3E图为第2B图之I-I'线切面之制造流程剖面图。 |
