| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体面板的制造方法,至少包含下列步骤:提供一矽晶圆;形成一透明绝缘层于该矽晶圆正面;形成复数个薄膜电晶体结构以及相对应的复数个透明电极于该透明绝缘层上表面;将一透明基板接合该矽晶圆正面;将该矽晶圆除去;以及蚀刻该透明绝缘层使该透明电极曝露出。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层为SiOx。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层为SiNx。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层的厚度约在1微米以下。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明电极为铟锡氧(ITO)。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为玻璃基板。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为高分子基板。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆除去的步骤包括:以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)方式将该矽晶圆磨除。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆除去的步骤包括:以蚀刻方式(Etching)将该矽晶圆除去。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,更包括:在该透明绝缘层上形成对位标记的步骤。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,在将该透明基板接合该矽晶圆正面的步骤前,更包括:在该薄膜电晶体结构上形成一黑色遮光层(black matrix)的步骤。12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中形成该薄膜电晶体结构以及该透明电极的步骤,包括:形成一电晶体薄膜以及一透明电极于该透明绝缘层上表面;形成一匣极绝缘层覆盖该电晶体薄膜以及该透明电极;在该匣极绝缘层上对应该电晶体薄膜的位置,形成一匣极电极;形成一层间绝缘层于该匣极电极以及该匣极氧化层上;形成一金属导线层于该层间绝缘层上;以及形成一保护层于该金属导线层上。13.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该电晶体薄膜由选自多晶矽(p-Si)、多晶锗(p-Ge)、多晶矽锗(p-SiGe)、单晶矽(c-Si)、单晶锗(c-Ge)、单晶矽锗(c-SiGe)所组成的族群中的任何一种所组成。14.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,更包括:形成一滤色层(color filter)于该保护层上的步骤。15.一种薄膜电晶体面板的制造方法,至少包含下列步骤:提供一矽晶圆;形成一透明绝缘层于该矽晶圆正面;形成复数个薄膜电晶体结构于该透明绝缘层上表面;将一透明基板接合该矽晶圆正面;将该矽晶圆除去;以及将对应该薄膜电晶体结构的复数个透明电极形成于该透明绝缘层下表面。16.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层为SiOx。17.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层为SiNx。18.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明绝缘层的厚度约在1微米以下。19.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明电极为铟锡氧(ITO)。20.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为玻璃基板。21.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为高分子基板。22.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆除去的步骤包括:以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)方式将该矽晶圆磨除。23.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆除去的步骤包括:以蚀刻方式(Etching)将该矽晶圆除去。24.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,更包括:在该透明绝缘层上形成对位标记的步骤。25.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,在将该透明基板接合该矽晶圆正面的步骤前,更包括:在该薄膜电晶体结构上形成一黑色遮光层(black matrix)的步骤。26.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中形成该薄膜电晶体结构的步骤,包括:形成一电晶体薄膜于该透明绝缘层上表面;形成一匣极绝缘层覆盖该电晶体薄膜以及该透明电极;在该匣极绝缘层上对应该电晶体薄膜的位置,形成一匣极电极;形成一层间绝缘层于该匣极电极以及该匣极氧化层上;形成一金属导线属于该层间绝缘层上;以及形成一保护层于该金属导线层上。27.如申请专利范围第26项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该电晶体薄膜由选自多晶矽(p-Si)、多晶锗(p-Ge)、多晶矽锗(p-SiGe)、单晶矽(c-Si)、单晶锗(c-Ge)、单晶矽锗(c-SiCe)所组成的族群中的任何一种所组成。28.如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,在形成该透明电极的步骤前更包括:在该透明绝缘层下表面先形成一滤色层的步骤。29.一种薄膜电晶体面板的制造方法,至少包含下列步骤:提供一矽晶圆;将一透明基板贴合于该矽晶圆背面;将该矽晶圆薄膜化而成为一单晶矽薄膜;形成复数个薄膜电晶体结构于该单晶矽薄膜上;蚀刻该薄膜电晶体结构层以及该单晶矽薄膜以开出适当的图素窗口;形成一平坦化层覆盖该薄膜结晶体结构以及该图素窗口;以及在该平坦化层上形成与该电晶体结构相对应的复数个透明电极。30.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该单晶矽薄膜的厚度约为1微米。31.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明电极为铟锡氧(ITO)。32.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为玻璃基板。33.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该透明基板为高分子基板。34.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆薄膜化的步骤包括:以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)方式将该矽晶圆磨薄。35.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中将该矽晶圆薄膜化的步骤包括:以蚀刻方式(Etching)将该矽晶圆蚀成薄膜。36.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中形成该薄膜电晶体结构的步骤,包括:在该单晶矽薄膜上形成一源极区域与一汲极区域;形成一匣极绝缘层覆盖该电晶体薄膜以及该透明电极;在该匣极绝缘层上形成一匣极电极;形成一层间绝缘层于该匣极电极以及该匣极氧化层上;以及形成一金属导线层于该层间绝缘层上。37.如申请专利范围第29项所述之薄膜电晶体面板的制造方法,其中该平坦化层亦为滤色层(color filter)。图式简单说明:第1A-1I图,绘示本发明薄膜电晶体面板的制造方法之第一个实施例之流程剖面结构图。第2图,为根据本发明之一矽晶圆上视图,其上形成有对位标记。第3图,绘示利用黑色遮光层(black matrix)为光罩,以背面曝光方式,曝开被覆于该透明绝缘层下表面的光阻层,以定义出该透明绝缘层的开口范围。第4A-4J图,绘示本发明薄膜电晶体面板的制造方法之第二个实施例之流程剖面结构图。第5A-5G图,为绘示本发明薄膜电晶体面板的制造方法之第三个实施例之流程剖面结构图。第6图,绘示习知在一玻璃基板上的一薄膜电晶体结构。 |
