| 主权项 |
1.一种有机发光二极体,包含;一基板;一透明电极层,系形成于该基板上,用以与一外部电极连接,其表面系具有铟鍚-氧-矽-有机官能基之键结者;一发光部,系形成于该透明电极层上,用以受激、发光;及一金属电极层,系形成于该发光部上,用以与一和该透明电极层所连接之电极相反之电极连接。2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其中该基板系由玻璃材料所构成。3.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其中该基板系由有机塑胶材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其中该发光部系包含一高分子有机发光层,该分子有机发光层系能与该透明电极层表面之铟锡-氧-矽-有机官能基结合。5.如申请专利范围第4项所述之有机发光二极体,其中该高分子有机发光层系聚乙烯唑(poly(N-vinylcarbazole),PVK)掺杂有机染料之高分子有机发光层。6.一种透明电极板,包含:一基板;及一透明电极层,系形成于该基板上,其表面系具有铟锡-氧-矽-有机官能基。7.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体,其中该基板系由玻璃材料所构成。8.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体,其中该基板系由有机塑胶材料所构成。9.一种透明电极基板制造方法,系包含以下步骤:将含矽之烷氧型化合物溶于水中以形成一定浓度之含矽之烷氧型化合物水溶液;及将一表面具有氢氧基之铟锡氧透明基板(ITO电极基板)浸泡于该含矽之烷氧型化合物水溶液中,经一定时间后,形成一表面具有铟锡-氧-矽-有机官能基之透明电极基板。10.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该透明电极基板制造方法之步骤更包含:以一定的温度、时间将浸泡后之透明电极基板加以烘烤。11.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该含矽之烷氧型化合物水溶液之浓度(V/V)系0.01-1%。12.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该铟锡氧透明基板(ITO电极基板)之浸泡时间约为5分钟。13.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该含矽之烷氧型化合物为3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷。14.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该含矽之烷氧型化合物为-环氧丙醇丙基二甲氧基矽烷。15.如申请专利范围第9项所述之透明电极基板制造方法,其中,该含矽之烷氧型化合物为N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷。16.如申请专利范围第10项所述之透明电极基板制造方法,其中,该透明电极基板之烘烤温度为80-160℃、烘烤时间为30-90分钟。图式简单说明:图1系本发明较佳实施例之具有铟锡-氧-矽-有机官能基之透明电极基板形成的示意图。图2系本发明较佳实施利之有机发光二极体之构成示意图 。图3系改质后之ITO电极基板(APTMS, silane-1及silane-2)与未经改质之ITO电极基板(PVK+PBD+C6),利用旋转涂布法将主要发光层成膜于其上,并测其光激发光光谱(Photoluminescence),且将强度归一化后之光谱图。图4系改质后之ITO电极基板(APTMS, silane-1及silane-2)与未经改质之ITO基板(PVK+PBD+C6),利用旋转涂布法将主要发光层成膜于其上,并测其光激发光光谱(Photoluminescence)之光谱图。图5系改质后之ITO电极基板(silane-1;silane-2;APTMS)与未经改质之ITO电极小基板,利用旋转涂布法将主要发光层成膜于其上,且分别镀上Ca/Al电极测其亮度与电压关系的关系图。 |
