防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法

摘要

一种防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法。此方法系在基底之核心元件区与静电放电保护元件区形成复晶矽线。然后，先在复晶矽线的侧壁形成补偿间隙壁。当补偿间隙壁形成之后，再于基底上形成一层光阻层，以覆盖核心元件区，裸露出静电放电保护元件区。接着，以光阻层为罩幕，对静电放电保护元件区进行一击穿离子植入步骤，再去除光阻层。其后，在核心元件区形成复数个淡掺杂源极/汲极区。之后，在补偿间隙壁周缘形成间隙壁，再于核心元件区与静电放电保护元件区形成源极/汲极区。由于在形成光阻层之前，复晶矽线的侧垄已形成补偿间隙壁，因此，在去除光阻层的过程中，补偿间隙壁可以保护复晶矽线，使其不会被扯断。

主权项

1.一种防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,该方法至少包括下列步骤:提供一基底,该基底至少包括一核心元件区与一静电放电保护元件区;在该基底之该核心元件区与该静电放电保护元件区形成复数个复晶矽线;在该些复晶矽线的侧壁形成复数个补偿间隙壁;于形成该些补偿间隙壁之后,在该基底上形成一第一光阻层,以覆盖该核心元件区,裸露出该静电放电保护元件区;以该第一光阻层为罩幕,对该静电放电保护元件区进行一击穿离子植入步骤;去除该第一光阻层;在该核心元件区形成复数个淡掺杂源极/汲极区;在该些复晶矽线侧壁之该些补偿间隙壁周缘形成复数个间隙壁;以及在该核心元件区与该静电放电保护元件区形成复数个源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,其中形成该些补偿间隙壁的步骤包括:在该基底的该核心元件区与该静电放电保护元件区上形成一补偿间隙壁材料层;以及非等向性回蚀刻该补偿间隙壁材料层,以在该些复晶矽线的侧壁形成形成该些补偿间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述之防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,其中该些补偿间隙璧之材质包括氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,该些补偿间隙壁之宽度为100埃左右。5.如申请专利范围第1项所述之防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,其中该击穿离子植入步骤所植入之物种包括N型离子。6.如申请专利范围第1项所述之防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件的制造方法,其中在该核心元件区形成该些淡掺杂源极/汲极区的步骤包括:在该基底上形成第二光阻层,以覆盖该静电放电保护元件区,裸露出该核心元件区;以该核心元件区之该些复晶矽线以及该些补偿间隙壁为罩幕,进行一淡掺杂离子植入步骤,以在该基底中形成该淡掺杂源极/汲极区,以及去除该第二光阻层。7.一种防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,该方法系在一基底上形成复数个复晶矽线之后,形成该静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕之前,在该些复晶矽线的侧壁形成复数个补偿间隙壁。8.如申请专利范围第7项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中形成该些补偿间隙壁的步骤包括:在该基底的该核心元件区与该静电放电保护元件区上形成一间隙壁材料层;以及非等向性回蚀刻该补偿间隙壁材料层,以在该些复晶矽线的侧壁形成形成该些补偿间隙壁。9.如申请专利范围第8项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中该补偿间隙壁材料层包括一氧化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中该些补偿间隙壁之材质包括氧化矽。。11.如申请专利范围第7项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中,该些补偿间隙壁之宽度为100埃左右。12.如申请专利范围第7项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中去除该静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕包括氧电浆灰化法。13.如申请专利范围第12项所述之防止复晶矽线在去除静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕的过程中被破坏的方法,其中该静电放电保护电路元件之击穿植入光阻罩幕系以摄氏200度至300度之氧电浆灰化去除者。14.一种半导体元件的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底至少包括一核心元件区与一静电放电保护元件区;在该基底之该核心元件区与该静电放电保护元件区形成复数个闸极结构;在该些闸极结构的的侧壁形成复数个补偿间隙壁;于形成该些补偿间隙壁之后,在该基底上形成一罩幕层,以覆盖该核心元件区,裸露出该静电放电保护元件区;以该罩幕层为植入罩幕,对该静电放电保护元件区进行一击穿离子植入步骤;去除该罩幕层;在该核心元件区形成复数个淡掺杂源极/汲极区;在该些闸极结构侧壁之该些补偿间隙壁周缘形成复数个间隙壁;以及在该核心元件区与该静电放电保护元件区形成复数个源极/汲极区。15.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中形成该些补偿间隙壁的步骤包括:在该基底的该核心元件区与该静电放电保护元件区上形成一补偿间隙壁材料层;以及非等向性回蚀刻该补偿间隙壁材料层,以在该些闸极结构的侧壁形成形成该些补偿间隙壁。16.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中该些补偿间隙壁之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,该些补偿间隙壁之宽度为100埃左右。18.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中该击穿离子植入步骤所植入之物种包括N型离子。19.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中,该罩幕层为一光阻层,且该光阻层系以摄氏200度至300度之氧电浆灰化去除者。20.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中在该核心元件区形成该些淡掺杂源极/汲极区的步骤包括:在该基底上形成一光阻层,以覆盖该静电放电保护元件区,裸露出该核心元件区;以该核心元件区之该些复晶矽线以及该些补偿间隙壁为罩幕,进行一淡掺杂离子植入步骤,以在该基底中形成该淡掺杂源极/汲极区;以及去除该光阻层。图式简单说明:第1A图至第1F图绘示出依据本发明之一种防止复晶矽线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体元件之制造方法的制造流程剖面图。