| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极,且该闸极侧壁已形成有一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;于该闸极与该源/汲极区暴露出的表面形成复数个自行对准金属矽化层;去除部分该间隙壁,使其成为一锐角间隙壁;以及对该基底进行一倾斜角离子植入,以于该闸极侧边与该锐角间隙壁下之该基底内形成一源/汲极延伸区。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中在形成该源/汲极延伸区之后,更包括进行一热循环制程,以调整该源/汲极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除剩余未反应之该金属层。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。7.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极;于该闸极侧壁形成一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;去除部分该间隙壁,以形成一锐角间隙壁;以及对该基底进行一倾斜角离子植入,以于该闸极侧边与该锐角间隙壁下之该基底内形成一源/汲极延伸区。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。9.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该源/汲极区之后,更包括于该闸极与该源/汲极区暴露出的表面形成复数个自行对准金属矽化层。10.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除剩余未反应之该金属层。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。12.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中在形成该源/汲极延伸区之后,更包括进行一热循环制程,以调整该源/汲极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。13.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。图式简单说明:第1A图与第1B图是习知金氧半电晶体之制造流程示意图;以及第2A图至第2D图是依照本发明一较佳实施例之金氧半电晶体的制造流程剖面图。 |
