| 主权项 |
1.一种用于减少一具有一第一绝缘层与一第二绝缘层之半导体元件内之内陷电荷的方法,该方法至少包含:提供该第一绝缘层;流经一沉积气体、一稀释气体、及一转换气体于该第一绝缘层之上,并因而产生一过渡层;逐渐减少该转换气体气流;及于该过渡层上形成该第二绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沉积气体是三甲基矽烷。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之稀释气体为是氦气。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之转换气体是N2O。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之逐渐减少该转换气体气流之步骤改变该过渡层之特性。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之过渡层是经由化学气相沉积法所制成。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之过渡层是经由电浆增强化学气相沉积法所制成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一绝缘层与第二绝缘层是经由化学气相沉积法所制成。9.一种用于减少一具有一第一绝缘层与一第二绝缘层之半导体元件内之内陷电荷的方法,该方法至少包含:提供该第一绝缘层;流经一沉积气体及一稀释气体于该第一绝缘层之上,并因而产生一过渡层;使用一电浆处理该过渡层;及于该过渡层上形成该第二绝缘层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之沉积气体是三甲基矽烷。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之稀释气体为是氦气。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之电浆处理是更包含一N2O电浆。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之电浆处理系导入在约50至500瓦特之范围间实施。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之电浆处理系在250瓦特时实施。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之第二层是三甲基矽烷氧化物层。16.一种用于减少半导体元件内之内陷阻电荷的设备,该设备至少包含:一第一绝缘层;一沉积在该第一绝缘层之上的过渡层;及一沉积在该过渡层上之一第二绝缘层。17.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述之过渡层改良该第一绝缘层与该第二绝缘层之间的附着。18.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述之过渡层更包含一碳化矽基底之材质。19.如申请专利范围第18项所述之设备,其中上述之过渡层材料是SiC:H。20.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述之第二绝缘层是三甲基矽烷。图式简单说明:第1图描述一已建构积体电路于其上之先前技艺半导体底材之部份剖面图;第2图描述第1图所指示区域的详细剖面图;第3图描述第1图之该积体电路之界面的电容对闸电极之测量图;第4图一符合本发明之已建构积体电路于其上之半导体底材之部份剖面图;第5图描述使用本发明方法之第4图的该积体电路之界面的该积体电路之电容对该积体电路之闸电极之图表;第6图描述使用本发明方法之一个替代具体实施例之第4图的该积体电路之界面的电容对闸电极之图表;第7图描述本发明方法的一系列步骤;第8图描述本发明方法之替代实施例的一系列步骤;第9图描述本发明在接合时之使用沉积系统。 |
