| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,其特征在于包括: 非挥发记忆体,记忆在依据制程时之电性特性检查 结果判定为不良品之情况判定为良品所需之电性 特性之补偿资料; 外部端子,用以向该非挥发记忆体写入该补偿资料 ;以及 元件方块,系电性特性检查之对象,依照该非挥发 记忆体所记忆之补偿资料在该制程时决定特性値 。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路,其中 ,该外部端子配置于利用封装所封入之位置。3.如 申请专利范围第1或2项之半导体积体电路,其中,该 元件方块系电阻値可调方块,并联复数个由依据该 补偿资料被控制为导通/不导通之电晶体和与该电 晶体串联之电阻构成之组。4.如申请专利范围第1 或2项之半导体积体电路,其中,该元件方块系电容 値可调方块,并联复数个由依据该补偿资料被控制 为导通/不导通之电晶体和与该电晶体串联之电容 器构成之组。5.如申请专利范围第1或2项之半导体 积体电路,其中,该元件方块系延迟量可调方块,串 联复数个依据该补偿资料被插入信号路径或自信 号路径除去之延迟装置。6.一种半导体积体电路 之制造方法,在晶圆制程上包含在半导体晶圆上制 入半导体晶片之扩散制程和该半导体晶片用之第 一检查制程,在组立制程上包含自该半导体晶圆取 出半导体晶片后封装之组立完工制程和该封装 之半导体晶片用之第二检查制程, 其特征在于: 该第二检查制程检查该封装之半导体晶片之电性 特性,而且在该电性特性检查结果判定为不良品之 情况,计算判定为良品所需之电性特性之补偿资料 ,将所计算之补偿资料写入非挥发记忆体后,对于 依照所写入之补偿资料补偿了电性特性之半导体 晶片递回的实施第二检查制程。7.一种半导体积 体电路之制造方法,在晶圆制程上包含在半导体晶 圆上制入半导体晶片之扩散制程和该半导体晶片 用之第一检查制程,在组立制程上包含自该半导体 晶圆取出半导体晶片后封装之组立完工制程和 该封装之半导体晶片用之第二检查制程, 其特征在于: 该第一检查制程检查该半导体晶片之电性特性,而 且在该电性特性检查结果判定为不良品之情况,计 算判定为良品所需之电性特性之补偿资料,将所计 算之补偿资料写入非挥发记忆体后,对于依照所写 入之补偿资料补偿了电性特性之半导体晶片递回 的实施第一检查制程。图式简单说明: 图1系表示实施例1之半导体积体电路之制程之流 程图。 图2系表示实施例2之半导体积体电路之制程之流 程图。 图3系表示实施例2之半导体积体电路配置于晶圆 上之状态之图。 图4系表示实施例2之半导体积体电路封装化之状 态之图。 图5系表示实施例3之半导体积体电路之一部分之 电路图。 图6系表示实施例4之半导体积体电路之一部分之 电路图。 图7系表示实施例5之半导体积体电路之一部分之 电路图。 图8系表示以往之半导体积体电路之制程之流程图 。 |
