| 主权项 |
1.一种磊晶组合结构,包括一(001)方向的氟石结晶 层,以及在该氟石结晶层上磊晶成长之(011)方向的 一简单钙钛矿结晶层。2.根据申请专利范围第1项 所述之磊晶组合结构,其中该氟石结晶层是在一导 电晶体上磊晶成长的(001)方向层。3.根据申请专利 范围第2项所述之磊晶组合结构,其中该导电晶体 是矽。4.一种磊晶组合结构,包括一(001)方向的氟 石结晶层,在该氟石结晶层上磊晶成长之(011)方向 的一简单钙钛矿结晶层,以及在该简单钙钛矿结晶 层上磊晶成长之具有一层钙钛矿结晶结构的结晶 层。5.根据申请专利范围第4项所述之磊晶组合结 构,其中该氟石结晶层是在一导电晶体上磊晶成长 的(001)方向层。6.根据申请专利范围第5项所述之 磊晶组合结构,其中该导电晶体是矽。7.根据申请 专利范围第4项所述之磊晶组合结构,其中该具有 一层钙钛矿结晶结构的结晶层是一铁电材料。8. 根据申请专利范围第5项所述之磊晶组合结构,其 中该具有一层钙钛矿结晶结构的结晶层是一铁电 材料。9.根据申请专利范围第6项所述之磊晶组合 结构,其中该具有一层钙钛矿结晶结构的结晶层是 一铁电材料。10.根据申请专利范围第4项所述之磊 晶组合结构,其中该具有一层钙钛矿结晶结构的结 晶层是一超导材料。11.根据申请专利范围第5项所 述之磊晶组合结构,其中该具有一层钙钛矿结晶结 构的结晶层是一超导材料。12.根据申请专利范围 第6项所述之磊晶组合结构,其中该具有一层钙钛 矿结晶结构的结晶层是一超导材料。13.根据申请 专利范围第4项所述之磊晶组合结构,其中该具有 一层钙钛矿结晶结构的结晶层是一磁性材料。14. 根据申请专利范围第5项所述之磊晶组合结构,其 中该具有一层钙钛矿结晶结构的结晶层是一磁性 材料。15.根据申请专利范围第6项所述之磊晶组合 结构,其中该具有一层钙钛矿结晶结构的结晶层是 一磁性材料。图式简单说明: 第1图是显示本发明之磊晶组合结构(1)的层结构之 剖面图。 第2图是显示本发明之磊晶组合结构(2)及(3)的层结 构之剖面图。 第3图是显示本发明之磊晶组合结构(4)的层结构之 剖面图。 第4图是显示本发明之磊晶组合结构(5)到(9)的层结 构之剖面图。 第5(a)图是一剖面图,显示本发明之磊晶组合结构(1 )到(3)的结构中,在(011)方向的SrTiO3简单钙钛矿及CeO 2氟石的(001)表面间的界面之晶格配位,系从CeO2的[ 100]方向观察;以及第5(b)图是从组合结构的[010]方 向所显示的剖面图。 第6图是一剖面图,显示本发明之磊晶组合结构(4) 到(9)的结构中,在(011)方向的SrTiO3简单钙钛矿及Bi4 Ti3O12钙钛矿结晶结构层间的界面之晶格配位,系从 简单钙钛矿结晶的[100]方向观察。 第7图是本发明所使用之气相成长装置之解释图。 第8图是本发明气相成长方法所使用之较佳雷射切 除方法之解释图。 第9图显示实施例1之磊晶组合结构的X光绕射图形 。 第10图显示实施例1之磊晶组合结构层的平面方向 之磁极图量测,得自X光绕射。 第11图显示实施例2之磊晶组合结构的X光绕射图形 。 第12图显示实施例2之磊晶组合结构层的平面方向 之磁极图量测,得自X光绕射。 第13图系图示实施例3之铁电装置中,电容及偏压之 间的关系。 |
