| 发明名称 |
N TYPE IMPURITY DOPING USING IMPLANTATION OF P2+ IONS OR AS2+ IONS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG88751(A1) |
申请公布日期 |
2002.05.21 |
| 申请号 |
SG19990001615 |
申请日期 |
1999.03.31 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
LEE BUAN HENG;LOW TECK HONG;WANG HAI RONG;TANG YING;ZADIG CHEUNG-CHING |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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