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<p>본 발명은 기준전류를 발생시키는 전용 장치를 필요로 하지 않고 내구성 테스트가 단시간내에 수행될 수 있는 비휘발성 메모리 장치의 메모리 검사 방법으로서, 상기 비휘발성 메모리 장치는, 이진 데이터를 유지하며, 판독시, 상기 이진 데이터에 응답하여 제 1 전류 또는 상기 제 1 전류보다 낮은 제 2 전류를 출력하는 메모리셀; 상기 제 1 전류보다 낮지만 상기 제 2 전류보다 높은 기준전류를 발생시키는 기준회로; 상기 메모리셀의 출력전류와 상기 기준전류를 비교하여 이진 데이터를 재생하는 감지증폭기; 및 상기 기준회로에 의해 발생될 상기 기준전류를 통상전류, 상기 통상전류보다 높은 대전류 또는 상기 통상전류보다 낮은 소전류로 선택적으로 스위칭하는 기준 스위칭 회로를 구비한다.</p> |
