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经营范围
发明名称
Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal
摘要
申请公布号
US6391109(B1)
申请公布日期
2002.05.21
申请号
US09/750157
申请日期
2000.12.29
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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