| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 격리영역 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 O/TEOS 방식으로 제2절연막을 트렌치에 매립함에 따라 소수성 엔드 라디칼을 갖는 TEOS 소중합체가 친수성 트렌치 내벽에 영향을 받아 제2절연막의 증착특성을 불안정하게 함으로써, 트렌치 격리영역 내에 보이드가 형성되어 격리특성을 저하시키는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상에 버퍼산화막과 제1절연막을 순차적으로 형성한 다음 제1절연막 상부에 감광막을 도포하고, 노광 및 현상하여 제1절연막의 일부가 노출되도록 감광막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 감광막 패턴을 적용하여 제1절연막, 버퍼산화막 및 반도체기판을 순차적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 상기 트렌치가 형성됨에 따라 노출된 반도체기판 표면을 소수성 케미칼 처리하여 소수성을 갖도록 한 다음 감광막 패턴을 제거하는 공정과; 상기 결과물의 상부전면에 O/TEOS 방식으로 제2절연막을 증착하여 트렌치를 매립하는 공정으로 이루어지는 반도체소자의 격리영역 형성방법을 통해, 트렌치 표면을 소수성 케미칼 처리하여 소수성을 갖도록 한 다음 O/TEOS 방식으로 제2절연막을 증착하여 트렌치를 매립함에 따라 소수성 엔드 라디칼을 갖는 TEOS 소중합체의 반도체기판 의존을 차단하여 제2절연막의 증착속도가 빨라짐과 아울러 안정된 증착특성으로 보이드 형성을 방지하여 반도체소자의 격리특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
