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Es werden eine Halbleiter-Vorrichtung bereitgestellt, die die Betriebseigenschaften von sowohl einem Transistortyp mit isoliertem Gate für die Hochspannung als auch einem Trasistortyp mit isoliertem Gate für die Niederspannung optimiert sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben. Speziell wird ein strukturierter Lack (25) der Gestalt ausgebildet, daß er eine Niederspannungsbetriebs-Region (A2) bedeckt, und ein zweiter LDD-Implantationsvorgang des Implantierens von Fremdionen (14) unter Verwendung des Lacks (25) als Maske wird durch einen Siliziumoxidfilm (6) durchgeführt, um dadurch eine Dotierungsregion (13) in der Oberfläche eines Halbleiter-Substrats (1) in einer Hochspannungsbetriebs-Region (A1) auszubilden. Nach diesem Schritt enthält der Siliziumoxidfilm (6) in der Hochspannungsbetriebs-Region (A1) die im zweiten LDD-Implantationsvorgang eingebrachte Dotierung, wohingegen der Siliziumoxidfilm (6) in einer Niederspannungsbetriebs-Region (A2) keine Dotierung enthält. Dies führt dazu, daß in der folgenden Vorbehandlung mit einem Naßprozeß der die Dotierung enthaltende Siliziumoxidfilm (6) in der Hochspannungsbetriebs-Region (A1) in der Dicke verringert wird und der keine Dotierung enthaltende Siliziumoxidfilm (6) in der Niederspannungsbetriebs-Region (A2) nicht in der Dicke verringert wird.
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