| 摘要 |
<p>본발명은 스마트 파워 소자와 같이, 전기적 특성이 다른 소자들을 하나의 반도체 기판에 집적한 회로 소자의 게이트 절연막 제조방법에 관한 것이다. 본발명의 반도체 소자의 게이트 절연막 형성방법은 제1영역과 제2영역으로 구성되는 반도체 기판의 상면에 제1두께의 제1 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1영역의 상기 제1 게이트 절연막 상면에 산화방지 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2영역의 상기 제1게이트 절연막위에 제2두께의 제2게이트 절연막을 형성하는 공정과; 상기 산화방지 마스크 패턴을 제거하는 공정을 포함한다. 본발명에 의하면, 종래 게이트 절연막 형성공정에서 문제가 되었던 반도체 기판의 표면 손상문제를 해결할 수 있고, 또한 동일한 반도체 기판상면에 부분적으로 게이트 절연막을 형성함에 있어서 그 두께를 정확하게 제어할 수 있는 잇점이 있다.</p> |
