| 摘要 |
<p>본 발명은 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 트랜지스터 제조방법은 게이트를 형성한 후, 할로이온주입을 실시하여, 상기 게이트에 의해 이온주입의 경사각 확보가 어려워 원하는 할로방지영역을 형성할 수 없는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판의 상부에 포토레지스트를 도포하고, 이를 노광 및 현상하여 기판의 일부를 노출시키는 게이트 패턴을 형성한 후, 그 노출된 기판에 경사이온주입공정을 통해 할로방지영역을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 할로방지영역이 형성된 기판의 상부전면에 게이트산화막, 다결정실리콘, 절연막을 순차적으로 증착한 후, 상기 포토레지스트의 형성시 사용한 마스크를 이용하는 사진식각공정으로, 상기 절연막, 다결정실리콘, 게이트산화막을 식각하여 게이트를 형성하는 단계와; 상기 잔존하는 절연막을 이온주입 마스크로 사용하는 이온주입공정으로 상기 할로방지영역 상부측의 기판에 소스 및 드레인을 형성하는 단계로 구성되어 게이트의 형성위치에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 그 단차가 낮은 포토레지스트 패턴을 이온주입마스크로 사용하는 경사이온주입공정으로 원하는 형태의 할로이온주입영역을 용이하게 형성함으로써, 집적도의 저하 없이 모스 트랜지스터의 할로현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
