| 摘要 |
<p>본 발명은 전력응용분야와 전자소자 응용분야에 적용될 수 있는 종자결정성장법에 의한 고온초전도 단결정체에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 성형체의 상.하부 모두에 종자결정을 심음으로서 성형체 전체를 하나의 초전도 단결정체로 제조할 수 있는 상.하 종자결정법을 이용한 고온초전도 단결정체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 종래에는 상부에 설치된 종자결정에 의해 상부측에서 성장한 희토류금속 바륨 구리산화물 단결정와 하부에서 불규칙하게 성장한 하부단결정이 각각 성장하기 때문에 전체 두께의 약 2/3 정도에 해당하는 부분만을 사용할 수 있고, 나머지는 버려야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 희토류금속 바륨 구리산화물(ReBaCuORe= Y,Bi,Sm 등)에 의한 고온초전도 단결정체의 제조방법으로서, 기판(11)상에 표면코팅층(12)을 설치하고 상기 표면코팅층(12)의 내부에는 희토류금속 바륨 구리산화물 성형체(13)를 담고, 상기 고온초전도 분말 성형체(13)의 상.하면 모두에 각각 종자결정(14)(14')을 설치한 뒤 포정반응온도 이상으로 가열하여 원료물질 중 일부분을 부분적으로 용융시키고, 다시 포정반응온도 이하로 서냉하여 종자결정의 결정방위에 맞게 고온초전도체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 것임.</p> |
