| 发明名称 | 金属栅极形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成可容易地去除伪多晶硅膜的例如集成MOS晶体管中的锒嵌金属栅极的方法。该方法包括以下步骤:形成锒嵌栅极绝缘膜32和伪栅极用多晶硅膜33的工序,在包含上述伪多晶硅膜33的晶片31上形成夹层绝缘膜36的工序,抛光夹层绝缘膜以露出上述伪多晶硅膜的工序,利用旋转蚀刻方法对上述露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1349247A | 申请公布日期 | 2002.05.15 |
| 申请号 | CN01139315.7 | 申请日期 | 2001.10.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张世亿;宣俊协;崔亨福 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1.一种形成锒嵌金属栅极的方法，包括以下步骤：在一晶片上形成用于伪栅极的一伪栅极绝缘膜和一多晶硅膜；在该晶片上形成一夹层绝缘膜；抛光该夹层绝缘膜，以便露出该伪多晶硅膜的上表面；和应用旋转蚀刻工序，对露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||