| 发明名称 | 一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品 | ||
| 摘要 | 本发明一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品,涉及一种人工功能半导体薄膜的制备工艺及用此工艺生产的纳米硅薄膜,及纳米硅在电子器件上的应用。纳米硅薄膜采用等离子体化学汽相沉积法,是在PECVD设备中生长纳米硅薄膜,反应气体包括以氢气稀释的硅烷反应气和以氢气稀释的掺杂气体。用此种方法提供了一种导电率及导电类型可通过工艺调整而加以控制的掺杂纳米硅薄膜,用以可制成性能优异的量子遂穿纳米硅/单晶硅异质结二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1349004A | 申请公布日期 | 2002.05.15 |
| 申请号 | CN01141324.7 | 申请日期 | 2001.09.27 |
| 申请人 | 上海维安新材料研究中心有限公司 | 发明人 | 刘明;何宇亮 |
| 分类号 | C23C16/24 | 主分类号 | C23C16/24 |
| 代理机构 | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人 | 董梅 |
| 主权项 | 1，一种纳米硅薄膜的制备工艺，采用等离子体化学汽相沉积法，是在PECVD设备中生长纳米硅薄膜，其特征在于：反应气体包括以氢气稀释的硅烷反应气和以氢气稀释的掺杂气体，其中，硅烷氢气稀释比C＝SiH4/(SiH4+H2)＝(0.2-1.0)％；掺杂气体氢气稀释比C＝R/(R+H2)＝(0.1-0.3)％；掺杂比r＝R/SiH4＝10-4-10-1 沉积时衬底温度Ts＝180-280℃；沉积时反应压力P＝0.7-1.0乇；r.f射频功率W＝40-80瓦；直流负偏压D.C＝-120--200伏； | ||
| 地址 | 200082上海市昆明路16号 | ||