| 发明名称 | 一种场发射阴极及其制造方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN1349240A | 申请公布日期 | 2002.05.15 |
| 申请号 | CN01140097.8 | 申请日期 | 2001.11.27 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 薛增泉;张葵;张耿民;余宁;侯士敏;申志勇;刘惟敏;赵兴钰;陈清;吴锦雷;张兆祥;彭练矛 |
| 分类号 | H01J1/304;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/304 |
| 代理机构 | 北京华一君联专利事务所 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 1.一种场发射阴极，其特征在于所述的场发射阴极是金属纳米线阵列，在金属平面电极基底上生长有与基底相同金属的纳米线阵列。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||