编程快速存储单元的方法

摘要

本发明提供一种编程快速存储单元的方法，以改善编程效率和特性而无须改变裂栅型快速存储单元的结构就可实现低功率器件。在源区形成的耗尽区从硅基片的表面部分延伸到硅基片的底部，在此耗尽区中所存在的陷阱中心处产生少数载流子接收来自硅基片中选择栅和浮置栅之间所形成的高电场区的能量并通过加到漏区的电压而变成热电子。随后，由控制栅的高电压所形成的垂直方向电场使该电子注入浮置栅。

主权项

1.一种编程快速存储单元的方法，所述快速存储单元包括硅衬底、源区和漏区、浮置栅、控制栅和选择栅，其特征是当高于电源电压的一个电压被加到所述控制栅，所述电源电压被加到所述漏区，一个低于所述电源电压且高于地电压的电压被加到所述选择栅，且所述源区被浮置时，在所述源区处所形成的耗尽区被从所述硅基片的表面延伸到硅基片的底部，在所述被延伸的耗尽区处所存在的陷阱中心所产生的少数载流子接收来自在选择栅和浮置栅之间的硅基片处所形成的高电场区的能量以使其变成热电子，并且，根据分别施加到所述硅衬底、所述源区、所述漏区、所述浮置栅、所述控制栅和所述选择栅上的电压，通过在垂直方向上所形成的电场，所述热电子被注入浮置栅。