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<p>본 발명에 따라, 다수의 결함이 있는 메모리 어레이를 복구하기 위한 서브 블럭 리던던시 대체 메모리 구성이 제공되는데, 각 결함이 있는 메모리 어레이는 제 1 매트릭스 형태로 배치된 다수의 메모리 셀을 구비하되 제 1 행 복호화기 및 제 1 감지 증폭기에 의해 지원되며, 또한 제 2 형태로 배치된 다수의 리던던시 메모리 어레이가 지원되는데, 각 리던던시 메모리 어레이는 n개의 리던던시 메모리 서브어레이로 세분되며 제 2 행 복호화기 및 제 2 감지 증폭기에 의해 지원된다. 결함이 있는 메모리 어레이는 상기 n개의 리던던시 메모리 서브어레이 중 최소 2개에서 최대 (n-1)개와 상기 제 2 행 복호화기 중 해당하는 것과 상기 제 2 감지 증폭기 중의 해당하는 것으로 대체된다. 추가 서브 블럭 어레이를 이용할 수 있기 때문에 메모리 내에 하나 이상의 블럭 결함이 존재하더라도 결함이 있는 메모리 어레이를 복구하는 것이 가능하다. 리던던시 어레이 내의 셀의 개수는 메모리 어레이 내의 셀의 개수보다 작아서 실질적으로 실리콘 오버 헤드를 줄인다. 선택에 따라서는, 서브 블럭 리던던시 메모리 어레이는 적어도 두 유닛 내에서 분배되는데, 각 유닛은 다수의 메모리 어레이와 적어도 하나의 서브 블럭 리던던시 어레이와 해당 열 복호화기로 구성된다. 임의의 유닛 내에서 메모리 어레이 또는 서브 블럭 리던던시 메모리 어레이가 활성화되어 있는지의 여부를 결정하는 리던던시 매칭 검출의 결과에 따라 열 복호화기가 활성화된다.</p> |
