| 主权项 |
1.一种气体泄漏检测系统,其系供检测遍及多种特定气体之泄漏,其特征在于具有:分析机构,分析采取之气体成分;及判定机构,依该分析机构之分析结果,在采取气体中含有一定量以上至少一种上述特定气体时,判定含有一定量以上上述一种特定气体泄漏。2.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中具有采取机构,采取从上述多种特定气体中除去其所含有害物之除害机构排出之气体;且上述判定机构,在上述除害机构排出之气体中含有一定量以上上述有害物时,判定上述除害机构为异常。3.如申请专利范围第1或2项之气体泄漏检测系统,其中上述分析机构,为傅立叶变换红外分光器。4.如申请专利范围第3项之气体泄漏检测系统,其中更具有:氮气供给机构,为上述傅立叶变换红外分光器之零点校正,将氮气导入上述傅立叶变换红外分光器;及控制机构,控制上述氮气供给机构以一定间隔地实施上述零点校正。5.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中具有采取机构,从多数采取位置个别采取气体,并将采取之气体依序供给上述分析机构。6.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中具有采取机构,从多数采取位置个别采取气体,且具有控制机构,其系实施将从上述多数采取位置采取之气体,同时供给上述气体分析机构,上述气体分析机构之分析结果,至少一种上述特定气体含于气体中一定量以上时,将从上述多数采取位置采取之气体,个别依序供给上述分析机构之控制。7.如申请专利范围第5项之气体泄漏检测系统,其中上述采取机构具有流量调整机构,调整至少从一个上述采取位置流向上述分析机构之气体流量。8.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中更具有警报机构,当供给上述分析机构之气体流量脱出一定范围时发出警报。9.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中更具有稀释机构,当上述气体分析机构之分析结果显示一定种类之上述特定气体含于采取之气体中一定量以上时,稀释从上述分析机构排出之上述一定种类特定气体。10.如申请专利范围第1项之气体泄漏检测系统,其中上述判定机构,当判定上述至少一种特定气体泄漏时,输出判定为泄漏之上述一种特定气体泄漏之信号。11.如申请专利范围第2项之气体泄漏检测系统,其中上述判定机构,判定上述除害机构为异常时,输出表示上述除害机构为异常之信号。12.一种气体泄漏检测方法,其系检测遍及多种特定气体泄漏,其特征在于具有:分析步骤,分析采取之气体成分;判定步骤,判定采取之气体中是否含有一定量以上至少一种上述特定气体;及判定机构,当判定采取之气体中含有一定量以上至少一种上述特定气体时,判定上述一种上述特定气体泄漏。13.一种气体泄漏检测方法,其系监视自泄漏之遍及多种特定气体除去其所含有害物之除害机构的动作状态,其特征在于具有:分析步骤,分析从上述除害机构排出之气体成分;判定步骤,判定从上述除害机构排出之气体中是否含有一定量以上至少一种上述特定气体;及判定步骤,判定从上述除害机构排出之气体中含有一定量以上至少一种上述特定气体时,判定上述除害机构发生异常。14.如申请专利范围第12项或第13项之气体泄漏检测方法,其中上述分析步骤,使用傅立叶变换红外分光器实施。15.如申请专利范围第14项之气体泄漏检测方法,其中更具有:上述傅立叶变换红外分光器之零点校正步骤,以一定间隔实施;及将氮气供给上述傅立叶变换红外分光器之步骤,在上述零点校正时实施。16.如申请专利范围第12项之气体泄漏检测方法,其中更具有:采取气体之步骤,于多数采取位置实施;及同时分析被采取气体之步骤,于多数采取位置实施。17.如申请专利范围第16项之气体泄漏检测方法,其中具有个别依序分析于多数采取位置被采取气体之步骤,当上述分析结果显示,至少一种上述特定气体含于被采取气体中一定量以上时进行分析。18.如申请专利范围第12项或第13项之气体泄漏检测方法,其中更具有将欲分析之气体量调整为一定値之步骤。19.如申请专利范围第12项或第13项之气体泄漏检测方法,其中更具有发出警报之步骤,当分析之气体流量超过一定値以上时。20.如申请专利范围第12项或第13项之气体泄漏检测方法,其中更具有稀释机构,当上述分析结果显示一定种类之上述特定气体含于采取之气体中一定量以上时,稀释上述分析后排出之上述一定种类特定气体。21.一种半导体制造装置,具有检测遍及多种特定气体泄漏之气体泄漏检测功能,其系使用遍及多种之特定气体,并包括:半导体制造装置筐体;采取机构,采取从该半导体制造装置筐体排出之气体;分析机构,分析采取之气体成分;及判定机构,依该分析机构之分析结果,当采取气体中含有一定量以上至少一种上述特定气体时,判定含有一定量以上上述一种特定气体泄漏。22.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中上述分析机构,为傅立叶变换红外分光器。23.如申请专利范围第22项之半导体制造装置,其中更具有:氮气供给机构,为上述傅立叶变换红外分光器之零点校正,将氮气导入上述傅立叶变换红外分光器;及控制机构,控制上述氮气供给机构以一定间隔地实施上述零点校正。24.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中上述采取机构,从多数采取位置个别采取气体,并将采取之气体依序供给上述分析机构。25.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中上述采取机构,从多数采取位置个别采取气体,且具有控制机构,其系实施将从上述多数采取位置采取之气体,同时供给上述气体分析机构,上述气体分析机构之分析结果,至少一种上述特定气体含于气体中一定量以上时,将从上述多数采取位置采取之气体,个别依序供给上述分析机构之控制。26.如申请专利范围第25项之半导体制造装置,其中上述采取机构具有流量调整机构,调整从至少一个上述采取位置流向上述分析机构之气体流量。27.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中更具有警报机构,在供给上述分析机构之气体流量自一定范围脱离时发出警报。28.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中更具有稀释机构,上述气体分析机构之分析结果当显示一定种类之上述特定气体含于采取之气体中一定量以上时,稀释从上述分析机构排出之上述一定种类特定气体。29.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,其中当上述判定机构,判定上述至少一种特定气体泄漏时,输出判定为泄漏之上述一种特定气体泄漏之信号。图式简单说明:图1系先前之气体泄漏检测系统构造图。图2系依本发明之气体泄漏检测系统整体构造图。图3系依本发明之第1实施例之气体泄漏检测系统所设气体泄漏检测装置构造图。图4系依本发明之第1实施例之气体泄漏检测系统动作流程图。图5系依本发明之第2实施例之气体泄漏检测系统所设气体泄漏检测装置构造图。图6系依本发明之第2实施例之气体泄漏检测系统动作流程图。图7系依本发明之第3实施例之气体泄漏检测系统所设气体泄漏检测装置构造图。图8系依本发明之第3实施例之气体泄漏检测系统动作流程图。 |
