发明名称 取样并锁定的比较器电路
摘要 一种取样并锁定的比较器电路包括一第一PMOS、一第一NMOS、一第二PMOS、一第二NMOS、一第三NMOS、一第四NMOS、一第三PMOS、一第五NMOS一第四PMOS、一第六NMOS、一第七NMOS、一第八NMOS、一第一电容器及一第二电容器。使取样并锁定的比较器电路的输出端控制在接近电源端电压的一半电压大小,并且由两个电容器所储存的电压差持续放大到高准位或低准位为止,提高了整个比较器电路的操作速度。
申请公布号 TW486874 申请公布日期 2002.05.11
申请号 TW089127055 申请日期 2000.12.18
申请人 凯讯电子股份有限公司 发明人 施合一
分类号 H03M1/12 主分类号 H03M1/12
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种取样并锁定的比较器电路,由一第一电压源与一第二电压源供应电源给该比较器电路,该比较器电路具有一锁住控制端、一第一类比输入端,一第二类比输入端、一第一数位输出端与一第二数位输出端,该锁住控制端接收一锁住信号,该第一类比输入端接收一第一类比信号,该第二类比输入端接收一第二类比信号,该第一数位输出端输出一第一数位信号,该第二数位输出端输出一第二数位信号,该比较器电路包括:一第一PMOS,该第一PMOS具有一源极、一汲极与一闸极,该源极耦接至该第二数位输出端,该闸极耦接至该锁住控制端;一第一NMOS,该第一NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极耦接至该第一类比输入端,该源极耦接至该第一PMOS之该汲极,该闸极耦接至该锁住控制端;一第二PMOS,该第二PMOS具有该源极、一汲极与一闸极,该源极耦接至该第一电压源,该汲极耦接至该第一数位输出端;一第二NMOS,该第二NMOS具有该汲极、该源极与该闸陋,该汲极耦接至该第二PMOS之该闸极,该源极耦接至该第一数位输出端,该闸极耦接至该锁住控制端;一第三NMOS,该第三NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极耦接至该第一数位输出端,该源极耦接至该第二电压源,该闸极耦接至该第一PMOS之该汲极;一第四NMOS,该第四NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极耦接至该第一数位输出端,该源极耦接至该第二电压源,该闸极耦接至该第二NMOS之该源极;一第三PMOS,该第三PMOS具有该源极、该汲极与该闸极,该源极耦接至该第一数位输出,该闸极耦接至该锁住控制端;一第五NMOS,该第五NMOS具有汲极、该源极与该闸极,该汲极耦接至该第二类比输入端,该源极耦接至该第三PMOS之该汲极,该闸极耦接至该锁住控制端;一第四PMOS,该第四PMOS具有该源极、该汲极与该闸极,该源极耦接至该第一电压源,该汲极耦接至该第二数位输出端;一第六NMOS,该第六NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极端耦接至该第四PMOS之该闸极,该源极耦接至该第二数位输出端,该闸极耦接至该锁住控制端;一第七NMOS,该第七NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极耦接至该第二数位输出端,该源极耦接至该第二电压源,该闸极耦接至该第三PMOS之该汲极;一第八NMOS,该第八NMOS具有该汲极、该源极与该闸极,该汲极端耦接至该第二数位输出端,该源极耦接至该第二电压源,该闸极耦接至该第六NMOS之该源极;一第一电容器,该第一电容器的一端耦接至该第二PMOS之该闸极,该第一电容器的另一端耦接至该第二数位输出端;以及一第二电容器,该第二电容器的一端耦接至该第四PMOS之该闸极,该第二电容器的另一端耦接至该第一数位输出端。2.如申请专利范围第1项所述之取样并锁定的比较器电路,其中该第二PMOS、该第四PMOS、该第三NMOS、该第四NMOS、该第七NMOS与该第八NMOS形成一再生正回授电路。图式简单说明:第1图绘示习知之比较器电路图;第2图模拟习知之比较器的模拟结果;第3图绘示本发明之取样并锁定的比较器电路图;以及第4图绘示本发明之取样并锁定的比较器电路之模拟结果。
地址 新竹市光复路二段二巷四十七号十楼