| 主权项 |
1.一种铁电质电晶体,其特征为:-在半导体基板(1)中设有两个源极/汲极区(2),以及配置于其间的通道区(3),-在通道区(3)的表面上配置金属中间层(4),其与半导体基板(1)形成Schottky二极体,-在金属中间层(4)的表面上配置铁电质层(5),-在铁电质层(5)的表面上配置闸极电极(6)。2.如申请专利范围第1项之铁电质电晶体,其中此金属中间层(4)至少包括材料Pt,Wsi2,Au或Ti中的一些金属。3.如申请专利范围第2项之铁电质电晶体,其中此金属中间层(4)在其至铁电质层(5)之界面范围中至少具有铂(Pt)。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之铁电质电晶体,其中通道区(3)的表面与半导体基板的表面隔离,而源极/汲极区(2)的表面配置于半导体基板(1)的表面之下。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之铁电质电晶体,其中金属中间层(4),铁电质层(5),以及闸极(6)具有一共同的侧面,其具有所设之绝缘间隙壁。6.如申请专利范围第4项之铁电质电晶体,其中金属中间层(4),铁电质层(5),以及闸极(6)具有一共同的侧面,其具有所设之绝缘间隙壁。7.如申请专利范围第5项之铁电质电晶体,其中此绝缘间隙壁包含铁电质材料。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之铁电质电晶体,其中此铁电质层(5)包含锶-铋-钽酸盐(SBT),铅-锆-钛酸盐(PZT),锂-铌酸盐(LiNbO3),或钡-锶-钛酸盐。9.如申请专利范围第4项之铁电质电晶体,其中此铁电质层(5)包含锶-铋-钽酸盐(SBT),铅-锆-钛酸盐(PZT),锂-铌酸盐(LiNbO3),或钡-锶-钛酸盐。10.如申请专利范围第7项之铁电质电晶体,其中此铁电质层(5)包含锶-铋-钽酸盐(SBT),铅-锆-钛酸盐(PZT),锂-铌酸盐(LiNbO3),或钡-锶-钛酸盐。11.如申请专利范围第1至3项中任一项之铁电质电晶体,其中-此闸极(6)包含铂或掺杂多晶矽,-此半导体基板(1)包含矽。12.如申请专利范围第4项之铁电质电晶体,其中-此闸极(6)包含铂或掺杂多晶矽,-此半导体基板(1)包含矽。13.如申请专利范围第8项之铁电质电晶体,其中-此闸极(6)包含铂或掺杂多晶矽,-此半导体基板(1)包含矽。14.一种铁电质电晶体之制造方法,其特征为:-其中在半导体基板(1)上经由淀积与结构化而形成金属中间层(4),(其与半导体基板(1)形成Schottky二极体),一铁电质层(5)与一闸极电极(6),-其中在半导体的基板(1)中之闸极电极(6)之两个互相面对的面上,形成源极/汲极区(2)。15.如申请专利范围第14项的方法,其中-此金属中间层(4),铁电质层(5),与闸极电极(6)具有所形成的共同侧面,-在侧面上形成绝缘间隙壁(8)。16.如申请专利范围第15项之方法,其中此源极/汲极区(2)具有所形成之LDD轮廓。图式简单说明:第1图 系显示经由一铁电质电晶体的横截面,其在通道区域与铁电质层之间具有一金属中间层。第2图 系显示在形成金属中间层与铁电质层之后的半导体基板。第3图 系显示在形成闸极电极之后的半导体基板。 |
