| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有:在半导体基板隔着闸极绝缘膜所形成的闸极电极,邻接该闸极电极而形成的第1导电型本体领域,在该第1导电型本体领域内所形成的第2导电型源极领域以及通道领域,在与前述第1导电型本体领域相隔处所形成的第2导电型汲极领域,以及围绕该汲极领域所形成的第2导电型漂移领域;其特征在该半导体装置中形成有:前述第1导电型本体领域系在比前述闸极电极下的活性领域还靠近前述汲极领域侧延伸形成,并且从该汲极领域到前述活性领域附近形成第2导电型不纯物层。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第2导电型不纯物的浓度比前述第2导电型漂移领域的浓度高,而此前述第2导电型汲极领域的浓度低。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述闸极绝缘膜系由第1绝缘膜、以及由比第1绝缘膜还厚之选择氧化膜构成之第2绝缘膜所构成,前述闸极电极系从第1绝缘膜跨越前述第2绝缘膜而形成,前述第2导电型不纯物系为了连接前述第2绝缘膜的底面而配设。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述闸极绝缘膜系由第1绝缘膜、以及由比第1绝缘膜还厚之选择氧化膜构成之第2绝缘膜所构成,前述闸极电极系从第1绝缘膜跨越前述第2绝缘膜而形成,前述第2导电型不纯物系为了覆盖前述第2绝缘膜的底面而配设。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,前述第2导电型不纯物系为了覆盖前述第2绝缘膜的底面整体而配设。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,前述第2导电型不纯物从前述第1导电型本体领域到比前述闸极绝缘膜的边缘更靠近源极侧形成终端。7.一种半导体装置之制造方法,其步骤包括有:在第1导电型的半导体基板内离子注入第2导电型不纯物来形成第2导电型井领域之步骤,藉由在前述第2导电型井领域内分别离子注入且扩散第1导电型不纯物以及第2导电型不纯物,以形成低浓度的第1导电型不纯物层与低浓度的第2导电型不纯物层,且两者之间存有间隔之步骤,从前述低浓度的第2导电型不纯物层到部分前述低浓度的第1导电型不纯物层,离子注入第2导电型不纯物来形成离子注入层之步骤,将前述基板的某领域选择氧化来形成LOGOS氧化膜的同时,形成扩散前述离子注入层所形成之中浓度第2导电型不纯物层之步骤,在前述LOCOS氧化膜以外的领域形成闸极绝缘膜,为了从该闸极绝缘膜跨越前述LOCOS氧化膜而形成闸极电极之步骤,以及在前述低浓度第1导电型不纯物层内形成之源极形成领域上以及前述低浓度第2导电型不纯物层内形成之汲极形成领域上,将具有开口之光阻膜作为遮罩,并注入第2导电型不纯物以形成高浓度源极汲极领域之步骤等。8.一种半导体装置,系具有:在半导体基板上所形成之第1绝缘膜,膜厚比前述第1绝缘膜还厚之第2绝缘膜,形成于前述第1绝缘膜上且部分跨越第2绝缘膜上之闸极电极,为了与前述闸极电极相邻接在基板表层所形成之低浓度以及高浓度的不纯物领域所构成之LDD构造的源极汲极领域;其特征为在该半导体装置中形成有:在前述低浓度源极汲极领域从前述第2绝缘膜的端部后退之基板表层处所形成的第1不纯物领域,以及于邻接前述第1绝缘膜与第2绝缘膜的边界线附近所形成,比前述第1不纯物领域还低浓度的第2不纯物领域。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,前述第2绝缘膜下方所形成之前述第2不纯物领域比前述第1不纯物领域还浅。10.一种半导体装置之制造方法,其步骤包括有:在半导体基板表层以第1光阻膜作为遮罩,并离子注入第1不纯物之步骤,以第2光阻膜作为遮罩,并在基板表层离子注入第2不纯物之步骤,在前述基板上形成具有开口之耐氧化性膜后,以该耐氧化性膜作为遮罩,将基板表面热氧化,并在该基板上形成选择氧化膜之步骤,将基板表面热氧化并在前述选择氧化膜以外的基板领域形成闸极氧化膜之步骤,全面地形成导电膜后,将该导电膜图案化并形成闸极电极,使其从前述闸极氧化膜跨越部分的前述选择氧化膜之步骤,以前述选择氧化膜以及闸极电极作为遮罩,在基板表层离子注入第3不纯物之步骤,以及藉由施以退火处理,使在前述基板表层离子注入之前述第1.第2以及第3不纯物扩散,以形成具有第1.第2不纯物浓度分布之低浓度源极汲极领域与具有第3不纯物浓度分布之高浓度源极汲极领域之步骤。11.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其中,前述低浓度源极汲极领域系由从前述第2绝缘膜的端部后退之基板表层处所形成的第1不纯物领域,以及邻接前述第1绝缘膜与第2绝缘膜的边界线附近所形成,比前述第1不纯物领域还低浓度的第2不纯物领域所构成。12.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其中,前述第2绝缘膜下方所形成之前述第2不纯物领域比前述第1不纯物领域还浅。13.一种半导体装置,系具有:在半导体基板上所形成之第1绝缘膜,膜厚比前述第1绝缘膜还厚之第2绝缘膜,形成于前述第1绝缘膜上且部分跨越第2绝缘膜之闸极电极,在从邻接前述闸极电极之第2绝缘膜一端部后退之基板表层所形成的低浓度的逆导电型源极汲极领域,以及邻接前述第2绝缘膜另一端部之基板表层所形成的高浓度的逆导电型源极汲极领域;其特征系在该半导体装置中,从前述第2绝缘膜的一端部到低浓度源极汲极领域端部,形成用以降低阈値电压之低浓度的逆导电型不纯物领域。14.一种半导体装置之制造方法,其步骤包括有:在一导电型半导体基板表层以第1光阻膜作为遮罩,并离子注入逆导电型第1不纯物后,以第2光阻膜作为遮罩并在基板表层离子注入逆导电型第2不纯物,并将第1以及第2不纯物扩散之步骤,在前述基板上形成具有开口之耐氧化性膜后,以该耐氧化性膜作为遮罩,将基板表面热氧化,并在该基板上形成选择氧化膜之步骤,将基板表面热氧化并在前述选择氧化膜以外的基板领域形成闸极氧化膜之步骤,全面地形成导电膜后,将该导电膜图案化并形成闸极电极,使其从前述闸极氧化膜跨越部分的前述选择氧化膜之步骤,以前述选择氧化膜以及闸极电极作为遮罩,在基板表层离子注入第3不纯物之步骤,以及藉由施以退火处理,使在前述基板表层离子注入之前述第1以及第3不纯物扩散,在从前述选择氧化膜的一端部后退之基板表层形成低浓度的逆导电型源极汲极领域,同时为了邻接选择氧化膜的另一端部,在基板表层形成高浓度的逆导电型源极汲极领域,再者,使第2不纯物扩散,从前述选择氧化膜的一端部到低浓度源极汲极领域端部,形成用以降低阈値电压之逆导电型不纯物领域的步骤。图式简单说明:第1图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第2图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第3图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第4图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第5图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第6图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第7图为本发明第1实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第8图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第9图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第10图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第11图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第12图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第13图为本发明第2实施型态之半导体装置制造方法的剖视图。第14图为本发明第3实施型态之半导体装置的剖视图。第15图为以往之半导体装置的剖视图。第16图为以往之半导体装置的剖视图。第17图(a)、(b)为说明以往之课题的图。第18图(a)、(b)为说明以往之课题的图。 |
