| 主权项 |
1.一种用以改善功率金氧半场效电晶体的线性和/或效率之配置,包含复数个并联连接电晶体区段,其特征在于:至少一组该电晶体区段具有跟其余的电晶体区段不同的临限电压。2.如申请专利范围第1项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段具有跟其余的电晶体区段不同的p-井杂质掺杂。3.如申请专利范围第2项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段跟其余的电晶体区段之杂质掺杂的p-井布植剂量不同。4.如申请专利范围第2项之配置,其特征在于:所有的电晶体区段都是以相同布植剂量的杂质掺杂,但是该至少一组电晶体区段跟其余的电晶体区段使用不同之随后驱进周期。5.如申请专利范围第2项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段跟其余的电晶体区段以杂质掺杂的p-井布植能量不同。6.如申请专利范围第2项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段跟其余的电晶体区段之杂质掺杂的布植倾斜角度不同。7.如申请专利范围第1项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段具有跟其余的电晶体区段不同厚度的闸氧化层。8.如申请专利范围第1项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段具有跟其余的电晶体区段不同的在电晶体区段之间的n+源极横向扩散。9.如申请专利范围第1项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段具有跟其余的电晶体区段不同的闸极材料。10.如申请专利范围第1至9项任一项之配置,其特征在于:该至少一组电晶体区段跟其余的电晶体区段位于不同的晶粒上。图式简单说明:图1是与根据本发明的横向双重扩散金氧半场效电晶体的两个相邻电晶体区段之剖面图。 |
