| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,包含:一电压产生器,其藉由使用由外部供应的一外部供应电压,来根据一参考电压而产生供应至内部电路的一内部供应电压;及一开机电路,用来把一开机重置信号解除动作,该开机重置信号在该外部供应电压和该内部供应电压都超过一预定値时把该等内部电路中的至少一个重置,且其中:该电压产生器在该开机重置信号被致动时把该外部供应电压供应作为该内部供应电压。2.依据申请专利范围第1项的半导体积体电路,其中该电压产生器包含:一差动放大器,用来接收该参考电压和依据该内部供应电压而变动的一电压;及一调节器,其系根据该差动放大器之输出而受控制,用来藉由使用该外部供应电压来产生该内部供应电压,且其中:该开机重置信号控制该差动放大器和该调节器中之一个;以及当开机重置信号被致动时该调节器被启动。3.依据申请专利范围第2项的半导体积体电路,其中该差动放大器包含一个CMOS电流镜电路。4.依据申请专利范围第1项的半导体积体电路,其中:该电压产生器包含有用来把被供以该外部供应电压的一外部供应线连接至被供以该内部供应电压的一内部供应线之一电晶体;及该电晶体在该开机重置信号被致动时导通。5.依据申请专利范围第1项的半导体积体电路,其更包含多个该电压产生器,且其中:该开机电路包含有在外部供应电压超过一预定値且由该等电压产生器分别产生的该内部供应电压超过一预定値时,用来把个别重置信号解除动作之多个重置信号产生器;及该开机重置信号响应于已最后解除动作的该重置信号而解除动作,且响应于已最早致动的该重置信号而致动。6.依据申请专利范围第5项的半导体积体电路,其中该等电压产生器中的至少一个产生比该外部供应电压低的该内部供应电压;以及该开机电路包含:一逻辑运算电路,用来逻辑地运算由该等重置信号代表的数値,并输出运算结果作为该开机重置信号;及一位准移变器,用来接收与比该外部供应电压低的该内部供应电压对应之该重置信号,以提升高电压侧上的该重置信号之逻辑位准,并把经提升重置信号供应至该逻辑运算电路。7.依据申请专利范围第5项的半导体积体电路,其中该等电压产生器中的至少一个产生比该外部供应电压低的该内部供应电压;以及用来依据比该外部供应电压低的该内部供应电压而解除该重置信号动作之该重置信号产生器包含:一电晶体,用来接收藉由用电阻把该内部供应电压分压而产生的一控制电压;一电阻器,其一端与该电晶体之一汲极连接,且其另一端被供应该外部供应电压,及其中该重置信号系由该电晶体和该电阻器之一连接节点来产生。8.一种用以在半导体积体电路中产生内部供应电压的方法,该方法包含下列步骤:藉由使用由外部供应的一外部供应电压,根据一参考电压来产生供应到内部电路的一内部供应电压;使在该外部供应电压和该内部供应电压都超过一预定値时把该等内部电路中之至少一个重置的开机重置信号解除动作;及当该开机重置信号被致动时把该外部供应电压供应作为该内部供应电压。9.依据申请专利范围第8项之用以在半导体积体电路中产生内部供应电压的方法,该方法更包含下列步骤:产生供应到该等内部电路的多个该内部供应电压;当该外部供应电压和该内部供应电压各分别超过一预定値时把分别与该等供应电压对应的重置信号解除动作;及响应于已最后解除动作的该重置信号而把该开机重置信号解除动作,且响应于已最早致动的该重置信号而致动该开机重置信号。图式简单说明:第1图系显示习知技术半导体积体电路中的内部供应电压之产生器的电路图;第2图系习知技术中在打开电源时一供应电压和一开机重置信号之波形图;第3图系显示本发明之第一实施例的方块图;第4图系显示在第3图中显示的一电压产生器之细节的电路图;第5图系显示被显示在第3图中的一重置信号产生器和一位准移变器之细节的电路图;第6图系显示在打开电源时的供应电压、重置信号、和开机重置信号之波形图;第7图系显示根据本发明之第二实施例的一电压产生器之细节的电路图;及第8图系显示根据本发明之第三实施例的一重置信号产生器和一逻辑运算电路之电路图。 |
