| 主权项 |
1.一种用于制造堆叠闸极阵列于具有大于8寸直径 之半导体晶圆上之方法,包含下列步骤: 提供具有上方电感性装置及下方电容性装置之反 应室; 调整该上方电感性装置之功率设定以用于取得比 在以50与500奈米/分钟间之蚀刻率来蚀刻具有8寸直 径之晶圆更佳10%之均匀性; 置放具有大于8寸直径之该晶圆于该反应室之内; 以及 电浆蚀刻具有大于8寸直径之该晶圆以提供该堆叠 闸极阵列。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该 堆叠闸极阵列包含多晶矽之层在氧化物之层上。3 .如申请专利范围第1项之方法,其中该堆叠闸极阵 列包含多晶矽之层,矽化钨之层及氧化物之层。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中该堆叠闸极阵 列包含多晶矽之层,矽化钛之层及多晶矽之层。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中电浆蚀刻之该 步骤包含下列步骤: 供给至少一蚀刻气体于该反应室之内; 供能该电感性及电容性装置以转换该蚀刻气体为 电浆而蚀刻该晶圆。6.如申请专利范围第5项之方 法,其中该蚀刻气体之气体流动,压力及温度系使 得该吸附率大于该晶圆之表面上之气体粒子的脱 离率。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该方法 尚包含在电浆蚀刻之该步骤之前再产生该反应室 之步骤。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该蚀 刻气体包含HCl,Cl2,NF3,O2及HBr之群的至少一气体。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中该上方电感性 装置之该功率调整于50与600瓦之间。10.如申请专 利范围第1项之方法,其中该下方电容性装置之该 功率调整于0与200瓦之间。11.如申请专利范围第1 项之方法,倘包含调整该下方电容性装置于小于300 瓦之功率设定。12.如申请专利范围第11项之方法, 其中该上方电感性装置之该功率调整于50与600瓦 之间,以及该下方电容性装置之该功率调整于0与 200瓦之间。13.如申请专利范围第1项之方法,其中 调整该上方电感性装置之功率以取得比在以200与 400奈米/分钟间之蚀刻率来蚀刻具有8寸直径之晶 圆更佳5%之均匀性。图式简单说明: 第1图系蚀刻前之堆叠闸极阵列的横剖面图; 第2图系蚀刻后之堆叠闸极阵列的横剖面图; 第3图系DPS反应室之横剖面图;以及 第4图系TCP反应室之横剖面图。 |
