| 主权项 |
1.一种离子源,其包含: 一做为阴极之电浆制造容器; 一丝极,其设置在该电浆制造容器之一侧; 一反射器,其设置在该电浆制造容器之另一侧,相 对于该丝极,并维持于一丝极电位或一浮动电位; 及 一磁铁,用于在该电浆制造容器中,连接该丝极与 该反射器之方向,产生一磁场, 其中符合一关系式 L<3.37B-1√(VA)10-6 其中,介于该电浆制造容器与该丝极之间所提供之 电弧电压为VA[V],在该电浆制造容器中的磁场之磁 通量密度为B[T],从几乎位于丝极尖端中心之最常 发生之电子发射点至电浆制造容器的内壁表面之 最短距离为L[m]。2.如申请专利范围第1项之离子源 ,其中该离子源为伯那斯型。3.如申请专利范围第1 项之离子源,其中该磁铁为电磁铁或是永久磁铁。 4.一种离子源之操作方法,其包含做为阴极之电浆 制造容器;一丝极,其设置在该电浆制造容器之一 侧;一反射器,其设置在该电浆制造容器之另一侧, 相对于该丝极,并维持在一丝极电位或一浮动电位 ;以及一磁铁,用于在该电浆制造容器中,于连接该 丝极与该反射器之方向,产生一磁场,此方法包含 符合以下关系式之引出离子束的步骤, L<3.37B-1√(VA)10-6 其中,介于该电浆制造容器与该丝极之间所提供之 电弧电压为VA[V],在该电浆制造容器中的磁场之磁 通量密度为B[T],从几乎位于丝极尖端中心之最常 发生之电子发射点至电浆制造容器的内壁表面之 最短距离为L[m]。5.如申请专利范围第4项之方法, 其中该离子源为伯那斯型。6.如申请专利范围第4 项之方法,其中该磁铁为电磁铁或是永久磁铁。图 式简单说明: 图1为本发明之一离子源实施例之横剖面图; 图2显示当电浆制造容器中的磁通量密度藉改变磁 铁之线圈电流而变化时,在离子束中显着离子之电 流比例的测量结果之一例; 图3列示一习知离子源的横剖面图;以及 图4为说明于电浆制造容器中排列丝极之一实施例 的横剖面图,其相对于图1及3之C-C横剖面。 |
