| 摘要 |
<p>본 발명은 리페어가 필요 없는 양품의 메모리에 대해서는 종래의 고속동작 속도를 그대로 유지할 수 있으며, Redundant Scheme이 적용되는 경우 발생할 수 있는 기능적 오동작 문제를 해소한 반도체 메모리에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명의 반도체 메모리는 노말 셀과 리던던트 셀을 구비한 메모리 셀 어레이와; 외부 제어신호들을 입력받아 각 구성 요소들의 동작을 제어하는 제어부와; 외부에서 인가되는 어드레스 신호를 입력받아 버퍼링하는 어드레스 입력버퍼부와; 어드레스 입력버퍼부에서 출력된 어드레스 값을 프리디코딩하는 프리디코딩부와; 어드레스 입력버퍼부로부터 출력된 어드레스 값이 리던던트 셀의 어드레스인지의 여부를 비교하는 어드레스 비교부와; 어드레스 비교부의 출력신호의 논리레벨에 따라 '로우' 또는 '하이'의 리던던트 판단신호를 출력하는 리던던트 판정부와; 이 리던던트 판단신호의 논리레벨이 변하는 경우 소정 길이의 천이 펄스를 발생시키는 천이검출부와; 제어부에서 인가하는 선택 클럭에 따라 일정 길이의 펄스신호를 주기적으로 발생시키며, 천이 펄스의 길이만큼 상기 펄스신호를 지연시켜 출력하는 펄스 발생부와; 리던던트 판단신호의 논리레벨에 따라 리던던트 셀의 어드레스와 노말 셀의 어드레스를 구분하여, 프리디코딩부에서 출력한 어드레스 값을 입력받아 디코딩하여 해당 메모리 셀의 선택 라인을 펄스 발생부에서 출력한 펄스신호에 의해 활성화시키는 디코딩부를 포함하여 이루어지며, 이에 따라, 리던던트 판단신호의 레벨 천이를 검출하여 이 때 펄스 발생부에서 발생되는 펄스신호 지연시켜 출력하도록 구성하므로써, 노말 모드의 동작에서는 억세스 타이밍을 그대로 유지하면서 리던던트 모드의 동작시 발생할 수 있는 기능적 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
