发明名称 |
电源模块 |
摘要 |
本发明涉及具备IGBT等的自消弧型半导体并且具有上述半导体的保护功能的电源模块,特别地涉及能够防止IGBT的过电流误检测的电源模块。考虑到感测发射极电流IS的上跳而来决定电阻(11)的阻值R3并且为了使得与感测发射极电流IS上跳之后的衰减时间常数相等而根据电容(10)的容量C3决定时间常数(C3×R3),由此能够防止感测发射极电流IS的上跳引起的过电流的误检测。 |
申请公布号 |
CN1348626A |
申请公布日期 |
2002.05.08 |
申请号 |
CN00806603.5 |
申请日期 |
2000.02.25 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
田中毅;益永博史 |
分类号 |
H03K17/08;H01L27/04;H01L29/78 |
主分类号 |
H03K17/08 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
孙敬国 |
主权项 |
1.一种电源模块,具备:具有电流检测用发射极的自消弧型半导体;检测出流过所述电流检测用发射极的检测电流并且检测流过所述自消弧型半导体的集电极—发射极间的过电流的过电流检测电路,其特征在于,所述过电流检测电路在所述自消弧型半导体的发射极与电流检测用发射极之间并联连接用于将所述检测电流变换成电压的电阻以及包含吸收所述检测电流上跳的电容与在所述检测电流上跳期间降低检测阻抗的电阻的串联体。 |
地址 |
日本东京 |