| 发明名称 |
Vollständig selbstjustierende FET-Technologie |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung liefert Verfahren zur Bildung eines Feldeffekttransistors in einer integrierten Schaltung unter Verwendung einer selbstjustierenden Technik, basierend auf einer Gateelektrode und einem Verfahren mit Seitenwandabstandshaltermaskierung sowohl zur Bildung der isolierenden Bauteilsmerkmale und der Source- und Draingebiete. Diese Erfindung erlaubt ein Vergrößern der Integrationsdichte von Halbleiterelementen, eine Minimierung der parasitären Kapazitäten in Feldeffekttransistorbauteilen und einen rascheren Herstellungsprozess.
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| 申请公布号 |
DE10052131(A1) |
申请公布日期 |
2002.05.08 |
| 申请号 |
DE20001052131 |
申请日期 |
2000.10.20 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
WIECZOREK, KARSTEN;HORSTMANN, MANFRED;STEPHAN, ROLF;RAAB, MICHAEL |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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