| 摘要 |
<p>전환 가능한 멀티 비트 DRAM에 있어서, 메인 비트선 쌍(BLM, /BLM), 메인 센스 앰프(26)에 부가하여, 서브 비트선 쌍(BLS, /BLS), 서브 센스 앰프(27)를 마련하고, 메인 비트선 쌍(BLM, /BLM)과 서브 비트선 쌍(BLS, /BLS)의 사이에 트랜지스터(28, 29)를 접속하며, 메인 비트선(BLM)과 상보 서브 비트선(/BLS) 사이에 트랜지스터(30), 기준 캐패시터(31), 트랜지스터(32)를 접속한다. 이들을 제어함으로써, 메모리 셀(20)을 4치 메모리로서 사용하기도 하고, 2치 메모리로서 사용하기도 한다. 이에 따라, 기억 용량 및 소비 전력을 전환할 수 있다.</p> |
